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H5TQ2G63GFR-RDJ 发布时间 时间:2025/9/2 8:18:34 查看 阅读:7

H5TQ2G63GFR-RDJ 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动式DRAM类型,主要用于高性能移动设备,如智能手机和平板电脑。这款DRAM芯片具有低功耗、高容量和高速数据传输的特点,能够满足现代移动设备对内存性能的高要求。

参数

品牌:SK Hynix
  型号:H5TQ2G63GFR-RDJ
  内存类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  容量:2Gbit
  数据宽度:16位
  电压:1.7V - 3.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:108-TFBGA
  接口类型:并行接口
  时钟频率:166MHz
  存取时间:5.4ns
  

特性

H5TQ2G63GFR-RDJ 的一大特性是其高容量和高速度,能够提供2Gbit的存储空间以及166MHz的时钟频率,确保设备在运行大型应用和处理复杂任务时具备足够的内存支持。
  此外,该芯片采用了低功耗设计,适用于对电池寿命要求较高的移动设备,从而提高设备的整体能效。
  该DRAM芯片还具有良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作,适合各种严苛的使用环境。
  其108-TFBGA封装形式不仅体积小巧,还提供了出色的散热性能,有助于设备在高负载下保持稳定运行。
  同时,H5TQ2G63GFR-RDJ的并行接口设计支持快速的数据传输,为设备提供高效的内存访问能力。

应用

H5TQ2G63GFR-RDJ 广泛应用于各种高性能移动设备中,包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等。由于其高容量和低功耗特性,该芯片也常用于需要高效内存管理的嵌入式系统和便携式工业设备中。此外,该芯片还可用于网络通信设备和消费类电子产品,以提供稳定且快速的内存支持。

替代型号

H5PS1G63EFR-U5C, H5TQ1G63GFR-RDC, MT48LC16M16A2B4-6A

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