H5TQ2G63GFR-RDC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、低功耗的移动存储器产品。该型号为LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存储器),适用于高性能便携式设备和嵌入式系统。H5TQ2G63GFR-RDC 采用先进的制造工艺,提供高速数据传输和较低的功耗,适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等需要高带宽内存的应用场景。
类型: LPDDR4 SDRAM
容量: 2Gb
组织结构: x64
电压: 1.1V / 1.8V
封装: 186-ball BGA
工作温度: -40°C ~ +85°C
时钟频率: 最高可达 1600MHz
数据速率: 3200Mbps
H5TQ2G63GFR-RDC IC 具备多项先进的技术特性,使其在高性能计算和低功耗应用中表现出色。
首先,这款LPDDR4 SDRAM芯片采用双电压供电设计,核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V,有效降低了整体功耗,延长了移动设备的电池寿命。其次,其最高数据速率为3200Mbps,支持高速数据存取,满足了现代智能设备对内存带宽的高要求。此外,该芯片采用186-ball BGA封装形式,体积小巧,适合紧凑型设计,并具备良好的散热性能。
该芯片还具备先进的时钟同步技术,确保在高频运行下数据传输的稳定性与可靠性。其支持的自动刷新和自刷新功能可在不使用时降低功耗,同时保持数据完整性。此外,H5TQ2G63GFR-RDC 还具备温度补偿自刷新(TCSR)和动态电压调整(DVS)功能,以进一步优化能效和性能表现。
H5TQ2G63GFR-RDC 主要应用于需要高性能和低功耗内存的移动电子设备和嵌入式系统。常见的应用包括智能手机、平板电脑、智能手表、可穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)以及高性能工业控制器等。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,该芯片也非常适合用于图像处理、视频流传输和多任务处理等高带宽需求的场景。
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