H5TQ2G63GFR-RDA 是一款由海力士(SK Hynix)生产的存储芯片,属于 DDR4 SDRAM 类型。该芯片主要用于计算机、服务器以及其他需要高性能内存的电子设备中。其设计旨在提供高带宽和低功耗的特性,支持现代计算环境对数据处理速度和效率的要求。
DDR4 技术相较于前代 DDR3 提供了更高的频率范围和更低的工作电压,从而实现更快的数据传输速率和更高效的能耗管理。
类型:DDR4 SDRAM
容量:16 Gb (2GB)
组织方式:8Gb x 2
核心电压(Vdd):1.2V
I/O 电压(Vddq):1.2V
封装类型:FBGA
引脚数:78-ball
工作温度范围:0°C 至 85°C
数据速率:2133 Mbps 至 3200 Mbps
H5TQ2G63GFR-RDA 具备以下显著特性:
1. 支持 DDR4 标准,提供比 DDR3 更高的性能和能效。
2. 内置温度传感器功能,可以监控芯片运行时的温度状态,确保系统稳定性。
3. 高速数据传输能力,支持高达 3200 Mbps 的数据速率。
4. 使用 FBGA 封装技术,具备更好的信号完整性和散热性能。
5. 节能环保,通过降低工作电压至 1.2V,减少整体功耗。
6. 可靠性高,适用于长时间连续运行的服务器和工作站等应用领域。
H5TQ2G63GFR-RDA 主要应用于以下领域:
1. 桌面电脑和笔记本电脑中的内存模块(DIMM 和 SO-DIMM)。
2. 企业级服务器和数据中心设备,提供高速数据处理能力。
3. 工业控制设备及嵌入式系统,满足高性能运算需求。
4. 游戏主机和其他高性能消费电子产品。
5. AI 计算和机器学习平台,支持大数据量的快速存取和处理。
H5AN8G6NCJR-TFC, H9CCNNNCLMR-KRC, K4B2G1646Q-HYK4