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H5TQ2G63FFR-RDI 发布时间 时间:2025/9/2 21:06:08 查看 阅读:9

H5TQ2G63FFR-RDI 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度DRAM产品系列。该芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,适用于高性能计算、嵌入式系统、网络设备和消费电子产品。H5TQ2G63FFR-RDI的存储容量为256MB,采用x16数据总线宽度,工作电压为1.8V至3.3V,具有较高的数据传输速率和较低的功耗,适合多种应用场景。

参数

容量:256MB
  数据总线宽度:x16
  电压:1.8V - 3.3V
  封装类型:FBGA
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H5TQ2G63FFR-RDI 具备多项优良特性,确保其在复杂环境下的稳定性和可靠性。首先,该芯片采用先进的DRAM技术,提供高达166MHz的时钟频率,支持快速的数据读写操作,适用于需要高性能内存的应用场景。
  其次,该DRAM芯片支持异步和同步操作模式,用户可以根据具体需求选择最合适的操作模式,从而优化系统性能。此外,H5TQ2G63FFR-RDI 的电压范围为1.8V至3.3V,具有较强的电压兼容性,能够适应不同电源管理方案的需求,同时降低了功耗,提高了能效。
  在封装方面,H5TQ2G63FFR-RDI 采用FBGA封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。该封装方式不仅提高了空间利用率,还增强了芯片的机械稳定性,使其更适合在移动设备和嵌入式系统中使用。
  另外,H5TQ2G63FFR-RDI 支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,能够在系统空闲时自动维持数据完整性,减少外部控制器的负担,同时进一步降低功耗,适用于电池供电设备。
  最后,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的环境适应性,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。

应用

H5TQ2G63FFR-RDI 被广泛应用于多个领域,包括但不限于工业控制、通信设备、嵌入式系统、消费类电子产品以及汽车电子系统。在工业控制方面,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和智能传感器等设备,以提升系统响应速度和数据处理能力。
  在通信设备中,H5TQ2G63FFR-RDI 可用于路由器、交换机、基站设备和无线接入点,提供高速缓存支持,提升数据传输效率。
  对于嵌入式系统,如智能家电、工业相机和医疗设备,H5TQ2G63FFR-RDI 能够提供稳定可靠的内存支持,确保系统长时间运行的稳定性。
  在消费类电子产品方面,该芯片可用于智能电视、数字机顶盒、游戏设备和便携式媒体播放器,满足高带宽和低功耗的需求。
  此外,H5TQ2G63FFR-RDI 还适用于汽车电子系统,如车载导航系统、车载娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS),在高温和高振动环境下依然能够稳定运行。

替代型号

H5TQ2G63BFR-PBC, H5PS1G63EFR-S6C, H5TQ1G63GFR-H9C

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