H5TQ2G63DFR 时间：2025/9/2 10:36:44 阅读：28

H5TQ2G63DFR是三星（Samsung）公司推出的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用DRAM技术中的LPDDR4规格。这款存储器专为高性能、低功耗应用而设计，适用于移动设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。H5TQ2G63DFR采用FBGA封装，具有较高的存储密度和较快的数据传输速率。

参数

容量：2Gb
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装：FBGA
　　电压：1.1V/1.5V
　　数据速率：3200Mbps
　　接口：x16
　　工作温度：-40°C至85°C

特性

H5TQ2G63DFR具备多项显著特性。首先，它采用了LPDDR4技术，具备较高的数据传输速率，最高可达3200Mbps，从而满足了高性能计算和图形处理的需求。其次，该芯片的供电电压分为1.1V和1.5V两个等级，分别用于核心电压（VDD）和输入输出电压（VDDQ），这使得它在保持高性能的同时实现了更低的功耗，非常适合电池供电的移动设备。
　　此外，H5TQ2G63DFR采用x16接口设计，提高了存储器的访问效率和带宽利用率，适用于需要大量数据吞吐的应用场景。该芯片还支持多种低功耗模式，如预充电、自刷新和深度掉电模式，以进一步延长设备的续航时间。
　　在封装方面，H5TQ2G63DFR采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB设计。其工作温度范围为-40°C至85°C，能够在各种严苛环境下稳定运行，增强了设备的可靠性和适应性。

应用

H5TQ2G63DFR广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏机等。由于其高数据传输速率和低功耗特性，该芯片也适用于需要大量内存带宽的消费类电子产品和工业控制设备。此外，H5TQ2G63DFR还可用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），以提供稳定、高效的内存支持。