容量：2Gbit
　　组织方式：x64位
　　封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　工作电压：1.35V/1.5V（支持低电压操作）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级温度范围）
　　数据传输速率：高达2133Mbps（具体取决于型号后缀）
　　时钟频率：1066MHz（支持高速操作）
　　刷新周期：64ms
　　存储架构：DRAM

H5TQ2G63DFR-RDCR 的显著特性之一是其高性能的存储能力，能够满足高带宽需求的应用场景。该芯片支持高速数据传输速率，使其非常适合用于需要快速数据访问的系统。此外，其低电压操作功能（1.35V）使其在高性能的同时具有节能的优势，有助于降低设备的整体功耗。
　　该芯片采用了FBGA封装技术，这种封装形式具有优异的散热性能和电气特性，能够确保在高频率下稳定运行。工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够适应各种严苛环境，无论是户外设备还是高温工业应用中都能可靠运行。
　　H5TQ2G63DFR-RDCR 还支持自动刷新和自刷新功能，能够有效延长数据保存时间并降低系统功耗。其设计也符合RoHS环保标准，适合用于绿色电子设备的开发。整体而言，这款DRAM芯片在性能、功耗、可靠性和封装方面都表现出色，是一款适用于多种应用场景的优质存储解决方案。

H5TQ2G63DFR-RDCR 被广泛应用于各种高性能电子设备和系统中，包括但不限于工业控制设备、网络交换机和路由器、嵌入式系统、个人计算机和服务器内存模块。其高带宽和低功耗特性使其非常适合用于需要高速数据处理的设备，例如图像处理设备、高性能计算系统和工业自动化系统。
　　此外，该芯片也常用于消费类电子产品，如高端智能手机、平板电脑和游戏主机，以提供流畅的操作体验和强大的多任务处理能力。在汽车电子系统中，它也可以用于信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载导航系统等关键部件。
　　由于其工业级温度范围和高可靠性，该芯片也适合用于航空航天、医疗设备和通信基础设施等对稳定性和可靠性要求极高的领域。

H5TQ2G63BFR-H9DC, H5TC4G63AFR-RDCT, H5TQ1G63GFR-RDCA