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H5TQ2G63DFR-PBI 发布时间 时间:2025/9/2 8:27:30 查看 阅读:8

H5TQ2G63DFR-PBI 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的移动存储解决方案。该芯片主要面向移动设备和嵌入式系统设计,具备低功耗和高数据传输速率的特点。

参数

容量:2 Gb(256MB x 8)
  组织结构:x8
  电源电压:1.8V
  封装类型:FBGA
  封装尺寸:54-ball FBGA
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据速率:高达800 Mbps
  访问时间:-
  刷新周期:64ms
  时钟频率:高达400MHz

特性

H5TQ2G63DFR-PBI 是一款基于移动DDR2(mDDR2)技术的DRAM芯片,具有低功耗特性和较高的数据传输速率,适用于需要延长电池寿命的便携式设备。其54-ball FBGA封装设计使其适合空间受限的应用,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有助于降低功耗并延长电池寿命。此外,H5TQ2G63DFR-PBI 提供了良好的数据完整性和稳定性,适合在高温环境下运行,满足工业级温度要求。
  在接口方面,该芯片采用CMOS兼容输入/输出信号,简化了与主控芯片的连接。其内置的突发模式支持顺序和交错访问,从而优化了数据吞吐量和访问效率。
  此外,H5TQ2G63DFR-PBI 采用了先进的制造工艺,确保在高频率下仍能保持稳定运行,并提供优异的抗干扰性能。

应用

H5TQ2G63DFR-PBI 常用于高性能移动设备,如智能手机、平板电脑、便携式游戏机和智能穿戴设备。它也适用于嵌入式系统、工业控制设备和车载信息娱乐系统(IVI)等对功耗和性能有较高要求的应用场景。

替代型号

H5TQ2G63EFR-PBC, H5TQ1G63FFR-PBC, H5TQ2G63DFR-RDC

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