时间：2025/9/2 8:27:30
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H5TQ2G63DFR-PBI 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的移动存储解决方案。该芯片主要面向移动设备和嵌入式系统设计，具备低功耗和高数据传输速率的特点。
容量：2 Gb（256MB x 8）
组织结构：x8
电源电压：1.8V
封装类型：FBGA
封装尺寸：54-ball FBGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据速率：高达800 Mbps
访问时间：-
刷新周期：64ms
时钟频率：高达400MHz
H5TQ2G63DFR-PBI 是一款基于移动DDR2（mDDR2）技术的DRAM芯片，具有低功耗特性和较高的数据传输速率，适用于需要延长电池寿命的便携式设备。其54-ball FBGA封装设计使其适合空间受限的应用，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低功耗并延长电池寿命。此外，H5TQ2G63DFR-PBI 提供了良好的数据完整性和稳定性，适合在高温环境下运行，满足工业级温度要求。
在接口方面，该芯片采用CMOS兼容输入/输出信号，简化了与主控芯片的连接。其内置的突发模式支持顺序和交错访问，从而优化了数据吞吐量和访问效率。
此外，H5TQ2G63DFR-PBI 采用了先进的制造工艺，确保在高频率下仍能保持稳定运行，并提供优异的抗干扰性能。
H5TQ2G63DFR-PBI 常用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑、便携式游戏机和智能穿戴设备。它也适用于嵌入式系统、工业控制设备和车载信息娱乐系统（IVI）等对功耗和性能有较高要求的应用场景。
H5TQ2G63EFR-PBC, H5TQ1G63FFR-PBC, H5TQ2G63DFR-RDC
