H5TQ2G63DFR-PBC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列。该芯片主要面向高性能、低功耗需求的移动设备,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。它采用紧凑的BGA封装形式,具备较高的存储密度和数据传输速率。
容量:2Gb(256MB)
数据总线宽度:x64
电压:1.1V / 1.8V
封装类型:FBGA
封装尺寸:9mm x 11mm
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据速率:3200Mbps
组织结构:2Gbit Mobile SDRAM
时钟频率:1600MHz
型号后缀:-PBC
H5TQ2G63DFR-PBC 是一款高性能、低功耗的移动存储解决方案,支持LPDDR4标准的高速传输特性,数据传输速率可达3200Mbps。其采用的双电压设计(1.1V核心电压和1.8V I/O电压)有助于降低功耗,延长移动设备的电池续航时间。
该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电节能模式,适用于对功耗敏感的应用场景。
此外,H5TQ2G63DFR-PBC 采用9mm x 11mm的FBGA封装,具有较小的封装尺寸和良好的热性能,适用于高密度PCB布局。其支持的-40°C至+85°C工业级工作温度范围也使其适用于较为严苛的工作环境。
在功能方面,该DRAM芯片支持突发长度BL=16、BA=2组地址和8个内部银行,支持命令和地址的差分时钟输入(CK_t/CK_c),具备良好的时序控制能力,适用于高带宽应用。
H5TQ2G63DFR-PBC 广泛应用于各种高性能、低功耗需求的移动设备,如高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低功耗设计,该芯片也适用于需要临时数据存储和快速访问的物联网设备、智能穿戴设备以及车载信息娱乐系统。
H5TQ2G63EMR-PBC, H5TC4G63AMR-PBA, H9HP53A8BJTKBCU