时间：2025/9/2 7:10:24
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H5TQ2G63DFR-NOC 是由SK hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片采用先进的技术设计，提供高效能和高稳定性，广泛应用于需要高速数据存储和处理的设备中。H5TQ2G63DFR-NOC 特别适合需要大容量内存和高速数据访问的应用场景。
容量：2Gb
类型：DRAM
封装类型：FBGA
电源电压：1.8V
接口类型：x16
最大时钟频率：200MHz
工作温度范围：0°C至+85°C
H5TQ2G63DFR-NOC 是一款高性能的DRAM存储器，具有2Gb的存储容量，适用于多种电子设备。这款芯片采用x16接口，提供高速数据访问能力，最大时钟频率可达200MHz，确保了快速的数据传输速度。该芯片的电源电压为1.8V，这有助于降低功耗，提高能效。此外，H5TQ2G63DFR-NOC 采用FBGA封装技术，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在各种环境下使用。其工作温度范围为0°C至+85°C，能够适应多种工业和商业应用场景。这款DRAM芯片的高可靠性和稳定性，使其成为许多高性能计算和存储设备的理想选择。
H5TQ2G63DFR-NOC 广泛应用于需要高速内存和大容量存储的各种设备中，如嵌入式系统、工业计算机、网络设备和消费电子产品。其高性能和高可靠性使其成为路由器、交换机、服务器和高端嵌入式系统的理想选择。在这些应用中，H5TQ2G63DFR-NOC 能够提供稳定的数据存储和快速的数据访问，满足高性能计算的需求。
H5TQ2G63EFR-NOC
