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H5TQ2G63DFR-N0C 发布时间 时间:2025/5/30 12:49:04 查看 阅读:9

H5TQ2G63DFR-N0C 是由海力士(SK Hynix)生产的一款 DDR5 SDRAM 内存颗粒芯片,广泛应用于高性能计算、服务器、台式机和笔记本电脑等设备中。DDR5 作为新一代内存技术,相比 DDR4 提供了更高的频率、更大的带宽以及更低的功耗。该型号采用 BGA 封装形式,具备高密度存储能力。

参数

类型:DDR5 SDRAM
  容量:2Gb (256Mb x 8)
  核心电压:1.1V
  I/O 电压:1.1V
  数据速率:4800MT/s - 5600MT/s
  封装:BGA 72-ball
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  引脚间距:1.0mm
  功能模式:x4/x8/x16

特性

H5TQ2G63DFR-N0C 支持 DDR5 的多项关键特性,包括 On-Die ECC(片上纠错码),可有效提升数据传输的可靠性。同时支持 DBI(Data Bus Inversion,数据总线反转)技术以优化信号完整性,并通过改进的电源管理架构降低功耗。
  此外,该芯片具备双通道架构设计,允许在单个 DIMM 上实现更高的带宽。其内置的 PMIC(电源管理集成电路)进一步增强了对电压波动的控制能力,确保稳定运行。
  H5TQ2G63DFR-N0C 还支持 CA Training 和 Read/Write Leveling 等训练机制,以适配不同系统环境下的时序需求。

应用

这款内存颗粒适用于构建高性能计算机内存模组(如 UDIMM、SO-DIMM 和 RDIMM)。它常见于以下场景:
  1. 数据中心和企业级服务器。
  2. 高端桌面和游戏平台。
  3. 笔记本电脑和其他移动设备。
  4. 工业级和嵌入式系统中的高速数据处理任务。
  由于其高频率和大容量特点,H5TQ2G63DFR-N0C 特别适合需要大量数据交换和复杂运算的应用场合。

替代型号

H5TQ2G63EFR-N0E
  H5TQ2G63EFR-N0C
  H5AN2G6NCJN-VKC

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