时间：2025/5/30 12:49:04
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H5TQ2G63DFR-N0C 是由海力士（SK Hynix）生产的一款 DDR5 SDRAM 内存颗粒芯片，广泛应用于高性能计算、服务器、台式机和笔记本电脑等设备中。DDR5 作为新一代内存技术，相比 DDR4 提供了更高的频率、更大的带宽以及更低的功耗。该型号采用 BGA 封装形式，具备高密度存储能力。
类型：DDR5 SDRAM
容量：2Gb (256Mb x 8)
核心电压：1.1V
I/O 电压：1.1V
数据速率：4800MT/s - 5600MT/s
封装：BGA 72-ball
工作温度：-40°C ~ +85°C
引脚间距：1.0mm
功能模式：x4/x8/x16
H5TQ2G63DFR-N0C 支持 DDR5 的多项关键特性，包括 On-Die ECC（片上纠错码），可有效提升数据传输的可靠性。同时支持 DBI（Data Bus Inversion，数据总线反转）技术以优化信号完整性，并通过改进的电源管理架构降低功耗。
此外，该芯片具备双通道架构设计，允许在单个 DIMM 上实现更高的带宽。其内置的 PMIC（电源管理集成电路）进一步增强了对电压波动的控制能力，确保稳定运行。
H5TQ2G63DFR-N0C 还支持 CA Training 和 Read/Write Leveling 等训练机制，以适配不同系统环境下的时序需求。
这款内存颗粒适用于构建高性能计算机内存模组（如 UDIMM、SO-DIMM 和 RDIMM）。它常见于以下场景：
1. 数据中心和企业级服务器。
2. 高端桌面和游戏平台。
3. 笔记本电脑和其他移动设备。
4. 工业级和嵌入式系统中的高速数据处理任务。
由于其高频率和大容量特点，H5TQ2G63DFR-N0C 特别适合需要大量数据交换和复杂运算的应用场合。
H5TQ2G63EFR-N0E
H5TQ2G63EFR-N0C
H5AN2G6NCJN-VKC
