H5TQ2G63BFR-H9C 是一款由 SK Hynix 生产的 NAND 闪存芯片,采用 MLC(多层单元)技术,主要应用于嵌入式存储设备、固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘以及其他需要大容量存储的电子设备中。该芯片具有高可靠性和快速读写性能,适合于对数据存储速度和耐用性有较高要求的应用场景。
容量:128GB
接口:Toggle DDR 2.0
电压:1.8V
封装形式:eMCP
工作温度:-40°C 至 +85°C
擦写寿命:3000 次
数据保存时间:10 年
H5TQ2G63BFR-H9C 使用了先进的 Toggle DDR 接口协议,提供了比传统异步接口更高的传输速率。此外,其 MLC 技术能够在每个存储单元中保存两位数据,从而实现更高的存储密度。该芯片还支持 ECC(错误检查与纠正)功能,可有效提升数据的完整性和可靠性。
这款 NAND 闪存芯片具备低功耗特性,使其非常适合便携式设备使用。同时,其宽泛的工作温度范围确保了在极端环境下的稳定性。
H5TQ2G63BFR-H9C 广泛应用于消费类电子产品领域,包括但不限于智能手机、平板电脑、SSD 和 USB 闪存盘等。它也常用于工业级存储解决方案中,例如监控系统、数据记录仪以及物联网设备中的数据存储部分。由于其高性能和可靠性,这款芯片也是许多定制化存储模块的理想选择。
H5TC4G63AFR-KVC, H5TC8G63AFR-KVC