H5TQ2G63BFR-H9 时间：2025/9/2 22:21:39 阅读：10

H5TQ2G63BFR-H9 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于SDRAM类别中的DDR3类型，具备高容量和高速传输的特性，适用于需要高效能内存的电子设备。这款芯片的封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），具有较小的体积和较高的可靠性。H5TQ2G63BFR-H9 通常用于消费类电子产品、工业控制设备、通信设备以及嵌入式系统等领域。

参数

容量：2Gb（256MB）
　　类型：DDR3 SDRAM
　　封装：FBGA
　　数据速率：800Mbps（等效于PC3-6400）
　　电压：1.35V - 1.5V
　　位宽：x16
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口标准：JEDEC兼容
　　刷新周期：64ms

特性

H5TQ2G63BFR-H9 DDR3 SDRAM芯片具备多项先进特性，确保其在各种应用中稳定高效地运行。首先，该芯片采用低电压设计，工作电压范围为1.35V至1.5V，相较于传统DDR2 SDRAM，功耗更低，有助于延长便携设备的电池寿命。其次，其数据速率达到800Mbps，等效于PC3-6400规格，能够提供更高的数据传输带宽，满足高性能应用的需求。此外，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，确保数据在断电情况下也能保持一定时间的完整性。FBGA封装形式不仅减小了芯片的体积，还提高了散热性能，使其更适合高密度主板设计。H5TQ2G63BFR-H9 还支持突发读写模式，并具备可配置的突发长度（Burst Length），能够根据应用需求优化数据传输效率。此外，该芯片内置的温度传感器有助于监控工作环境的温度变化，确保设备在高温条件下仍能正常运行。最后，该芯片符合JEDEC标准，确保了与其他DDR3内存控制器的兼容性，简化了系统设计和调试过程。

应用

H5TQ2G63BFR-H9 主要应用于需要高性能、低功耗和高稳定性的电子设备中。典型的应用领域包括智能手机、平板电脑、智能电视、机顶盒、网络路由器、工业控制设备以及嵌入式系统。在消费类电子产品中，该芯片能够提供足够的内存容量和高速数据访问能力，提升设备的整体性能和用户体验。在工业控制设备中，其宽温工作范围和高可靠性使其能够在恶劣环境下稳定运行。此外，H5TQ2G63BFR-H9 也广泛用于通信设备，如基站、交换机和路由器，以支持高速数据处理和传输需求。在嵌入式系统中，该芯片可以作为主内存使用，支持操作系统和应用程序的运行，确保系统的高效运作。