H5TQ2G63BFR-12C 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度DRAM产品线的一部分。该型号属于移动DRAM类别,广泛用于需要高性能和低功耗的移动设备中,例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。这款DRAM芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,具有较高的存储密度和较快的访问速度。
类型:DRAM
容量:256MB
数据宽度:16位
封装类型:FBGA
引脚数:54
电源电压:1.7V - 3.3V
最大时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H5TQ2G63BFR-12C 是一款低功耗、高性能的DRAM芯片,适用于需要快速数据存取的场合。其主要特性包括:
? 高速存取:支持高达166MHz的时钟频率,提供快速的数据读写能力。
? 低功耗设计:该芯片专为低功耗应用优化,适合电池供电设备使用。
? 小型封装:采用FBGA封装技术,占用PCB空间小,便于在紧凑型设备中使用。
? 宽电压范围:支持1.7V至3.3V的电源电压范围,提供灵活的电源管理选项。
? 广泛的工作温度范围:可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适用于工业级和消费类电子产品。
? 兼容性强:该芯片符合行业标准,能够与多种主控芯片和系统架构兼容。
H5TQ2G63BFR-12C 主要应用于对性能和功耗有较高要求的移动设备。典型应用包括:
? 智能手机和平板电脑中的系统内存。
? 数码相机、MP3播放器和其他便携式多媒体设备。
? 工业控制设备和嵌入式系统,用于临时数据存储和高速缓存。
? 网络设备和通信模块,如路由器、调制解调器等。
? 汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)。
H5TQ2G63BFR-12C 可以被以下型号替代,具体取决于应用需求:H5TQ2G63BFR-13C、H5TQ2G63BFR-15C、H5TQ2G63BFR-16C。