时间：2025/9/2 10:33:46
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H5TQ2G63BFR-12C 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度DRAM产品线的一部分。该型号属于移动DRAM类别，广泛用于需要高性能和低功耗的移动设备中，例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。这款DRAM芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有较高的存储密度和较快的访问速度。
类型：DRAM
容量：256MB
数据宽度：16位
封装类型：FBGA
引脚数：54
电源电压：1.7V - 3.3V
最大时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5TQ2G63BFR-12C 是一款低功耗、高性能的DRAM芯片，适用于需要快速数据存取的场合。其主要特性包括：
? 高速存取：支持高达166MHz的时钟频率，提供快速的数据读写能力。
? 低功耗设计：该芯片专为低功耗应用优化，适合电池供电设备使用。
? 小型封装：采用FBGA封装技术，占用PCB空间小，便于在紧凑型设备中使用。
? 宽电压范围：支持1.7V至3.3V的电源电压范围，提供灵活的电源管理选项。
? 广泛的工作温度范围：可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。
? 兼容性强：该芯片符合行业标准，能够与多种主控芯片和系统架构兼容。
H5TQ2G63BFR-12C 主要应用于对性能和功耗有较高要求的移动设备。典型应用包括：
? 智能手机和平板电脑中的系统内存。
? 数码相机、MP3播放器和其他便携式多媒体设备。
? 工业控制设备和嵌入式系统，用于临时数据存储和高速缓存。
? 网络设备和通信模块，如路由器、调制解调器等。
? 汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）。
H5TQ2G63BFR-12C 可以被以下型号替代，具体取决于应用需求：H5TQ2G63BFR-13C、H5TQ2G63BFR-15C、H5TQ2G63BFR-16C。
