时间：2025/9/2 11:27:42
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H5TQ2G63BFR-11C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM类别，通常用于移动设备和嵌入式系统中，提供高带宽和低功耗的内存解决方案。该封装采用BGA（球栅阵列）封装技术，适用于对空间和功耗有严格要求的应用场景。
容量：2Gbit（256MB）
组织结构：x16
电压：1.8V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：BGA
封装尺寸：90-ball FBGA
接口类型：Mobile SDRAM
时钟频率：166MHz
数据速率：333Mbps
数据预取：2n预取架构
延迟支持：CAS Latency (CL) 支持多种模式
刷新机制：自动刷新/自刷新
H5TQ2G63BFR-11C 的设计目标是为低功耗应用提供高性能存储解决方案。该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以优化功耗管理。其2n预取架构支持高效的数据传输，并支持多种CAS延迟模式，以适应不同的系统需求。
此外，H5TQ2G63BFR-11C 支持快速数据传输速率，最高可达333Mbps，使其适用于需要高带宽的数据处理应用。该芯片的BGA封装提供了良好的散热性能和空间效率，非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
在可靠性方面，H5TQ2G63BFR-11C 支持宽温度范围操作（-40°C至+85°C），确保其在各种环境条件下的稳定运行。此外，该芯片符合RoHS标准，无铅封装，支持环保设计。
H5TQ2G63BFR-11C 广泛应用于移动设备、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品中。例如，它可以作为智能手机、平板电脑、智能穿戴设备以及便携式游戏设备中的主内存或缓存存储器使用。此外，该芯片也适用于需要高性能和低功耗内存的物联网（IoT）设备和边缘计算设备。
H5TQ2G63AFR-11C, H5TQ2G63FFR-11C
