容量：2Gb（256MB）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　工作电压：1.1V
　　数据速率：3200Mbps
　　I/O接口：x16
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　封装尺寸：9.5mm x 10.5mm
　　时钟频率：最高1600MHz

H5TQ2G630FR 芯片具有多项先进特性，使其适用于高性能和低功耗应用场景。首先，该芯片采用LPDDR4标准，支持高达3200Mbps的数据速率，提供出色的内存带宽，满足高性能处理器和图形芯片对内存的高吞吐量需求。
　　其次，该器件工作电压为1.1V，显著降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。此外，H5TQ2G630FR 支持多种低功耗模式，如深度掉电模式（Deep Power Down）和预充电掉电模式（Precharge Power Down），进一步优化系统能效。
　　该芯片采用x16 I/O配置，提高了数据传输效率，同时减少了PCB布线复杂度，适用于紧凑型主板设计。其FBGA封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适应复杂的工业环境。
　　此外，H5TQ2G630FR 还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，确保数据完整性并降低控制器的负担。它适用于多种应用场景，如智能手机、平板电脑、车载系统和高性能嵌入式设备。

H5TQ2G630FR 主要应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备中。该芯片常见于智能手机、平板电脑和可穿戴设备，为移动设备提供快速的数据访问能力，同时保持较低的能耗，延长电池续航时间。
　　在嵌入式系统中，H5TQ2G630FR 适用于工业控制、物联网（IoT）设备、边缘计算设备等场景，支持高效的数据处理和存储管理。
　　此外，该芯片也广泛用于车载电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、车载导航系统和车载摄像头系统，确保系统运行的稳定性和响应速度。
　　在消费类电子产品方面，H5TQ2G630FR 可用于智能电视、机顶盒、AR/VR设备等，为这些设备提供流畅的图形处理能力和快速的系统响应性能。

H5TQ2G63AFR、H5TC4G63AMR、H5TQ1G63JFR、H5TQ2G63EFR、MT51J256M16A2B4-107、K4FABG630FA