H5TQ1G83TFR-G7CR-C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。该芯片属于低功耗DDR3(LPDDR3)系列,具有高性能和低能耗的特点,适用于需要高数据传输速率和低功耗的设备。
容量:1GB(128MB x8)
类型:LPDDR3 SDRAM
封装类型:FBGA
引脚数:134
工作电压:1.8V/3.3V
时钟频率:最高支持667MHz
数据速率:1600Mbps
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
内存架构:x8
刷新周期:64ms
封装尺寸:10mm x 12mm
H5TQ1G83TFR-G7CR-C 具备多个显著的性能特性。首先,它采用了LPDDR3技术,能够提供较高的数据传输速率,最高可达1600Mbps,满足高速数据处理的需求。其次,该芯片在功耗方面表现出色,适合用于电池供电设备,延长设备的使用时间。此外,该芯片的封装尺寸为10mm x 12mm,属于小型FBGA封装,适用于空间受限的高密度设计场景。
其工作温度范围宽达-40°C至+85°C,能够在恶劣的工业环境中稳定运行,适用于工业自动化、车载系统等应用。该芯片还支持自动刷新和自刷新功能,确保数据存储的可靠性,并减少外部控制器的负担。
H5TQ1G83TFR-G7CR-C 的x8内存架构使其在多通道系统中表现出色,提供高效的数据访问能力。同时,该芯片的时钟频率高达667MHz,能够支持高频操作,提高整体系统性能。此外,其64ms的刷新周期确保了内存的稳定性,同时降低了功耗。
H5TQ1G83TFR-G7CR-C 被广泛应用于多种需要高性能和低功耗的电子设备中,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备和车载电子系统。在消费电子领域,该芯片可用于提升设备的处理能力和响应速度,同时延长电池续航时间。在工业控制和车载系统中,该芯片的宽温工作范围和高可靠性使其成为理想的选择。
H5TQ1G83AFR-G7C,H5TQ1G83BFR-G7C