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H5TQ1G83EFR 发布时间 时间:2025/9/2 2:37:51 查看 阅读:9

H5TQ1G83EFR是一种由SK海力士(SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动式低功耗DRAM(LPDRAM)类别,广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该型号的容量为1Gb(Gigabit),支持低电压操作,以提升能效和延长电池寿命。

参数

类型:DRAM
  子类型:LPDRAM(低功耗DRAM)
  容量:1 Gb(128 MB x 8)
  封装类型:FBGA
  电压供应:1.7V - 3.3V(或根据具体版本)
  数据速率:高达166MHz / 200MHz(根据版本)
  接口:并行接口
  温度范围:工业级温度范围(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:58-ball FBGA(具体尺寸为4.5mm x 6.5mm 或类似)
  工作模式:支持自动刷新和自刷新模式

特性

H5TQ1G83EFR是一款专为低功耗应用设计的DRAM芯片,其核心特性包括低电压运行(通常为1.7V至3.3V之间),适用于对功耗敏感的便携式设备。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高可靠性和较长的使用寿命。其封装形式为58-ball FBGA,适合嵌入到紧凑型电路板中。
  此外,H5TQ1G83EFR具备高速数据访问能力,数据速率通常可达166MHz或200MHz,满足移动设备对性能的需求。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不牺牲数据完整性的前提下显著降低功耗,延长设备的电池续航时间。
  该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其在极端环境条件下也能保持稳定运行,适用于各种消费电子和工业应用。此外,其并行接口设计保证了与主控芯片之间的高效数据传输,同时兼容多种主流的SoC平台。

应用

H5TQ1G83EFR主要应用于移动通信设备,如智能手机和平板电脑,作为临时数据存储器用于运行操作系统和应用程序。此外,它还被广泛用于智能穿戴设备、物联网设备、车载信息系统、便携式医疗设备和工业控制系统等对功耗和空间有严格要求的领域。由于其低功耗特性和高稳定性,该芯片也适合用于需要长时间运行且依赖电池供电的嵌入式系统。

替代型号

H5TQ1G83EFR-HR,H5TQ1G83EFR-RDC,H5TQ1G83EFR-S2C,H5TQ1G83EBR,H5TQ1G83ELR

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