H5TQ1G83EFR 时间：2025/9/2 2:37:51 阅读：24

H5TQ1G83EFR是一种由SK海力士（SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动式低功耗DRAM（LPDRAM）类别，广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该型号的容量为1Gb（Gigabit），支持低电压操作，以提升能效和延长电池寿命。

参数

类型：DRAM
　　子类型：LPDRAM（低功耗DRAM）
　　容量：1 Gb（128 MB x 8）
　　封装类型：FBGA
　　电压供应：1.7V - 3.3V（或根据具体版本）
　　数据速率：高达166MHz / 200MHz（根据版本）
　　接口：并行接口
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：58-ball FBGA（具体尺寸为4.5mm x 6.5mm 或类似）
　　工作模式：支持自动刷新和自刷新模式

特性

H5TQ1G83EFR是一款专为低功耗应用设计的DRAM芯片，其核心特性包括低电压运行（通常为1.7V至3.3V之间），适用于对功耗敏感的便携式设备。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高可靠性和较长的使用寿命。其封装形式为58-ball FBGA，适合嵌入到紧凑型电路板中。
　　此外，H5TQ1G83EFR具备高速数据访问能力，数据速率通常可达166MHz或200MHz，满足移动设备对性能的需求。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不牺牲数据完整性的前提下显著降低功耗，延长设备的电池续航时间。
　　该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其在极端环境条件下也能保持稳定运行，适用于各种消费电子和工业应用。此外，其并行接口设计保证了与主控芯片之间的高效数据传输，同时兼容多种主流的SoC平台。

应用

H5TQ1G83EFR主要应用于移动通信设备，如智能手机和平板电脑，作为临时数据存储器用于运行操作系统和应用程序。此外，它还被广泛用于智能穿戴设备、物联网设备、车载信息系统、便携式医疗设备和工业控制系统等对功耗和空间有严格要求的领域。由于其低功耗特性和高稳定性，该芯片也适合用于需要长时间运行且依赖电池供电的嵌入式系统。