时间：2025/9/2 1:33:26
阅读：12
H5TQ1G83EFR-RDCR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，专为低功耗、高性能的移动设备设计。该芯片通常用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的便携式设备。
容量：1Gb
类型：DRAM（LPDDR2）
封装类型：FBGA
电压：1.2V - 1.8V 可变
接口类型：并行
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：可达800Mbps
存储组织：x8, x16
H5TQ1G83EFR-RDCR 具备低功耗特性，适用于需要延长电池寿命的移动设备。该芯片支持多种电源管理模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，以在不同工作负载下最大限度地降低能耗。此外，它具有较高的数据传输速率，能够满足移动设备对快速数据处理的需求。其封装设计紧凑，适合在空间受限的电子产品中使用。芯片内部采用先进的DRAM技术，提供高可靠性和稳定性，适用于各种苛刻的使用环境。
该芯片的另一个关键特性是其兼容性，支持与多种处理器和控制器的接口，从而提高了系统设计的灵活性。此外，其制造工艺符合RoHS标准，符合环保要求，适合用于绿色电子产品的开发。
H5TQ1G83EFR-RDCR 常用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑和便携式游戏设备。它也可用于嵌入式系统、工业控制设备、便携式医疗设备以及需要高性能和低功耗内存的物联网设备。由于其良好的性能和可靠性，该芯片还适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）。
H5TQ2G83EFR-RDCR, H5TQ1G83EFR-H9C4, H5TQ1G83EMR-RDCA
