时间：2025/9/1 13:27:32
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H5TQ1G83BFR是现代（Hyundai）公司生产的一款DRAM芯片，属于移动式低功耗DRAM（Mobile SDRAM）类别，主要面向移动设备和便携式电子产品设计。这款芯片采用先进的CMOS技术制造，具有较高的数据存取速度和较低的功耗，适用于智能手机、平板电脑以及其他需要高带宽内存的嵌入式系统。
容量：128MB
组织结构：16M x 8
电压：1.7V - 3.3V
速度等级：166MHz, 143MHz
封装类型：TSOP
数据宽度：8位
工作温度：-40°C ~ +85°C
H5TQ1G83BFR具备低功耗特性，非常适合电池供电设备使用。其采用CMOS技术，能够在保持高性能的同时显著降低功耗，延长设备的续航时间。此外，该芯片具有较高的集成度和稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其TSOP封装形式有助于提高电路板的组装效率，并增强设备的抗震性能。
该DRAM芯片支持自动刷新和自刷新功能，可以有效防止数据丢失，并减少系统功耗。同时，H5TQ1G83BFR支持突发模式（Burst Mode），可以显著提升数据传输效率。在时钟频率方面，该芯片支持高达166MHz的主频，能够满足大多数移动设备对高速数据处理的需求。
H5TQ1G83BFR广泛应用于各种便携式电子设备中，包括智能手机、平板电脑、数字媒体播放器（DMP）、数码相机、便携式游戏机等。此外，它还可用于工业控制设备、嵌入式系统以及各种需要临时数据存储的低功耗应用场景。由于其良好的性能和可靠性，这款芯片也常被用于汽车电子系统和消费类电子产品中。
H5TQ2G83BFR,H5MS1G83EFR
