时间：2025/5/7 10:56:39
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H5TQ1G63EFR-PBC 是一款由海力士（SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，主要应用于存储设备中。该芯片采用MLC（多层单元）技术，具有较高的存储密度和可靠性，适用于需要大容量存储的场景，例如固态硬盘（SS入式存储设备。
这款芯片属于Toggle DDR NAND Flash系列，支持高速数据传输，并具备较低的功耗特性，使其在移动设备和消费电子领域得到广泛应用。
容量：128Gb (16GB)
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：最高400MB/s
擦写周期：3000次
H5TQ1G63EFR-PBC采用了先进的制程工艺，具备以下显著特点：
1. 高速性能：支持Toggle DDR 2.0接口协议，可实现高达400MB/s的数据传输速率，确保快速读写操作。
2. 大容量存储：单颗芯片提供128Gb（16GB）的存储容量，满足现代设备对大容量存储的需求。
3. 低功耗设计：通过优化电路结构和工作模式，降低芯片在运行过程中的功耗，延长电池续航时间。
4. 可靠性高：经过严格的测试与验证，确保在各种环境条件下稳定工作，擦写周期可达3000次。
5. 小型化封装：采用BGA封装形式，引脚数为169，便于在空间受限的应用场景中使用。
H5TQ1G63EFR-PBC广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为主存储介质，提供高性能和大容量的存储解决方案。
2. USB闪存盘：用于制造大容量、高速度的U盘产品。
3. 嵌入式系统：如工业控制设备、网络通信设备等，提供可靠的存储功能。
4. 移动设备：包括智能手机、平板电脑等消费电子产品，支持快速启动和高效运行。
5. 数字摄像机和数码相机：记录高质量视频和图像文件，保证数据安全。
H5TC1G63CMR-PBC, H5TC1G63AFR-PBC
