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H5TQ1G63DFRH9C 发布时间 时间:2025/9/2 0:51:24 查看 阅读:7

H5TQ1G63DFRH9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR3(低功耗双倍数据速率第三代)内存类别,专为移动设备和低功耗应用设计。H5TQ1G63DFRH9C 提供了高性能与低功耗的平衡,适合用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗敏感的应用场景。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能。

参数

容量:1Gb
  内存类型:DRAM
  内存子类型:LPDDR3
  数据速率:1600Mbps
  电压:1.8V / 1.5V
  封装类型:BGA
  引脚数:134
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据总线宽度:16位
  时钟频率:800MHz

特性

H5TQ1G63DFRH9C 是一款高性能、低功耗的LPDDR3 SDRAM芯片,具有多项先进的技术特性。
  首先,它支持800MHz的时钟频率,对应的数据传输速率为1600Mbps,能够满足现代移动设备对高速数据处理的需求。其16位的数据总线宽度进一步提升了数据传输的效率,使得系统在处理复杂任务时保持流畅。
  其次,该芯片的工作电压为1.8V / 1.5V,支持双电压供电,能够在不同工作模式下自动调整电压,从而实现更低的功耗。这一特性对于延长电池寿命尤为重要,尤其适用于智能手机和平板电脑等便携式设备。
  此外,H5TQ1G63DFRH9C 采用134引脚的BGA封装技术,这种封装方式不仅减小了芯片的体积,还提高了封装的可靠性,适合在高密度PCB布局中使用。其工作温度范围为-40°C 至 +85°C,能够在各种环境条件下稳定运行,适用于工业级和消费级应用场景。
  最后,该芯片支持多种低功耗模式,包括自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),进一步降低了待机功耗。这些特性使得H5TQ1G63DFRH9C 成为一款适用于现代移动设备和嵌入式系统的理想内存解决方案。

应用

H5TQ1G63DFRH9C LPDDR3 SDRAM芯片广泛应用于多种需要高性能、低功耗内存的电子设备中。首先,它非常适合用于智能手机和平板电脑,这些设备对内存的带宽和功耗要求较高,而H5TQ1G63DFRH9C 的1600Mbps数据速率和低电压设计能够满足这些需求。其次,该芯片也可用于嵌入式系统,如工业控制设备、智能穿戴设备、物联网(IoT)设备等,这些设备通常需要在有限的功耗预算下运行,并且对内存的稳定性和可靠性有较高要求。此外,H5TQ1G63DFRH9C 还可用于车载电子系统、医疗设备和便携式消费电子产品,其宽工作温度范围和高可靠性确保了在各种复杂环境下的稳定运行。

替代型号

H5TC4G63AFR-RD

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