时间：2025/9/2 8:47:55
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H5TQ1G63DFR-H9I 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR3（低功耗双倍数据速率3代）内存产品。该芯片设计用于低功耗应用，适用于移动设备、嵌入式系统以及需要高效能和低能耗的电子设备。H5TQ1G63DFR-H9I 采用BGA（球栅阵列）封装，具有较高的集成度和稳定性。
容量：1Gb
类型：LPDDR3 SDRAM
封装：BGA
电源电压：1.8V / 2.5V
数据速率：800Mbps
数据总线宽度：x16
工作温度：-40°C ~ +85°C
H5TQ1G63DFR-H9I 作为一款LPDDR3内存芯片，具备多项显著特性。首先，其低功耗设计使得该芯片非常适合用于电池供电的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。其工作电压为1.8V 和 2.5V 双电压供电，能够在不同工作状态下灵活切换，从而进一步降低能耗。
其次，该芯片支持800Mbps的数据速率，能够在高频工作下保持稳定性能，适用于需要快速数据存取的应用场景。此外，其16位数据总线宽度（x16）提供了较高的数据吞吐能力，确保系统的高效运行。
再者，H5TQ1G63DFR-H9I 采用BGA封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），因此在各种恶劣环境条件下仍能保持可靠运行。
最后，该芯片集成了自刷新（Self-Refresh）功能，能够在低功耗模式下保持数据完整性，减少系统休眠时的能耗。其支持突发长度（Burst Length）为8，提供高效的内存访问方式。
H5TQ1G63DFR-H9I 主要应用于需要高性能与低功耗内存的电子设备中。其典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统控制器、智能穿戴设备、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其支持宽温范围工作，也适用于户外设备和工业控制设备中的内存模块设计。
此外，该芯片还可用于各种基于ARM架构的处理器系统中，作为主存或缓存使用，提供高效的数据存取能力。其适用于需要长时间运行和稳定性的物联网（IoT）设备、智能终端以及边缘计算设备。
H5TQ1G63EFR-H9C, H5TQ1G63EMR-H9C, H5TQ1G63GFR-H9C
