时间：2025/9/2 9:51:56
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H5TQ1G63BFR-H9C-C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，专为低功耗和高性能应用设计。这款芯片广泛用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的电子设备中。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，具备高密度存储能力和出色的能效比。
容量：1Gb
类型：DRAM
组织结构：x16
电压：1.7V - 3.3V
封装：FBGA
速度：166MHz
数据宽度：16位
温度范围：工业级（-40°C ~ +85°C）
工艺技术：CMOS
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
H5TQ1G63BFR-H9C-C 的主要特性之一是其低功耗设计，非常适合用于便携式设备和电池供电系统。该芯片支持多种低功耗模式，如自刷新（Self-Refresh）、待机（Standby）和掉电模式（Power-Down），从而在不使用时有效降低能耗。此外，它的工作电压范围为1.7V至3.3V，使其能够适应不同的电源管理方案。
该DRAM芯片采用x16数据宽度结构，提供1Gb的存储容量，能够满足中高端嵌入式系统和移动设备对内存的需求。其访问时间为5.4ns，具有较高的数据读写速度，适用于需要快速响应的应用场景。
在封装方面，H5TQ1G63BFR-H9C-C 采用FBGA封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的应用。
该芯片还具备良好的兼容性和稳定性，支持多种控制器接口，并能与主流嵌入式平台无缝集成。其CMOS制造工艺不仅提升了芯片的稳定性和可靠性，还降低了静态功耗。
H5TQ1G63BFR-H9C-C 主要用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，作为主内存或图形内存使用。由于其低功耗特性和较高的数据传输速率，该芯片也广泛应用于工业控制设备、车载信息系统、智能家电、通信模块和嵌入式系统中。
在智能手机和平板电脑中，H5TQ1G63BFR-H9C-C 作为系统内存，用于临时存储运行中的应用程序和操作系统数据，确保设备的流畅运行。在车载系统中，该芯片可用于车载导航、信息娱乐系统（IVI）以及车载摄像头模块的数据缓存。
此外，H5TQ1G63BFR-H9C-C 也适用于物联网（IoT）设备、智能家居控制器、工业自动化设备和边缘计算设备。其工业级温度范围使其能够在户外或高温环境下稳定工作，满足工业和车载应用的严苛要求。
该芯片还被用于网络设备、无线模块和通信基站的缓存单元，用于处理数据流和提高系统响应速度。
H5TQ1G63AFR-H9C-C, H5TQ2G63AFA-PBC, H5PS1G63EFR-S6C
