时间：2025/9/2 2:13:05
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H5TQ1G630FR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动设备专用的LPDDR2（低功耗双倍数据速率2）内存类别。该芯片设计用于高性能便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统，旨在提供高带宽与低功耗的平衡。其容量为1Gb（Gigabit），采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适用于紧凑型设备主板布局。
容量：1Gb
内存类型：LPDDR2 SDRAM
封装类型：FBGA
数据速率：可达400MHz/800Mbps
电压：1.2V/1.8V（核心/IO电压）
组织结构：x16位宽
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：根据具体封装形式而定，通常为54-ball或类似
H5TQ1G630FR具备多项高性能与低功耗特性。首先，其支持LPDDR2标准，提供高效的数据传输能力，同时通过降低工作电压来减少功耗，非常适合电池供电设备使用。其次，该DRAM芯片具备较高的数据带宽，可达800Mbps，支持多任务处理和高清多媒体应用。此外，其采用FBGA封装，具备良好的热管理和电气性能，适应高密度PCB布局需求。芯片还支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，有助于延长电池寿命。最后，其宽广的工作温度范围使其在各种环境条件下均能稳定运行。
H5TQ1G630FR主要应用于需要高性能与低功耗内存的移动和嵌入式设备中，包括但不限于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载娱乐系统、工业控制设备以及物联网（IoT）设备。该芯片的高集成度与低功耗特性，使其成为现代便携式电子产品的理想选择。
H5TQ1G631FR, H5PS1G63EFR, H5PS1G63FBR
