H5TQ1G630FR是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动设备专用的LPDDR2(低功耗双倍数据速率2)内存类别。该芯片设计用于高性能便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统,旨在提供高带宽与低功耗的平衡。其容量为1Gb(Gigabit),采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,适用于紧凑型设备主板布局。
容量:1Gb
内存类型:LPDDR2 SDRAM
封装类型:FBGA
数据速率:可达400MHz/800Mbps
电压:1.2V/1.8V(核心/IO电压)
组织结构:x16位宽
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装尺寸:根据具体封装形式而定,通常为54-ball或类似
H5TQ1G630FR具备多项高性能与低功耗特性。首先,其支持LPDDR2标准,提供高效的数据传输能力,同时通过降低工作电压来减少功耗,非常适合电池供电设备使用。其次,该DRAM芯片具备较高的数据带宽,可达800Mbps,支持多任务处理和高清多媒体应用。此外,其采用FBGA封装,具备良好的热管理和电气性能,适应高密度PCB布局需求。芯片还支持温度补偿自刷新(TCSR)功能,有助于延长电池寿命。最后,其宽广的工作温度范围使其在各种环境条件下均能稳定运行。
H5TQ1G630FR主要应用于需要高性能与低功耗内存的移动和嵌入式设备中,包括但不限于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载娱乐系统、工业控制设备以及物联网(IoT)设备。该芯片的高集成度与低功耗特性,使其成为现代便携式电子产品的理想选择。
H5TQ1G631FR, H5PS1G63EFR, H5PS1G63FBR