类型：DRAM
　　子类：DDR4 SDRAM
　　容量：8GB
　　数据速率：2666 Mbps
　　电压：1.2V
　　封装类型：BGA
　　引脚数：78个
　　工作温度范围：0°C 至 85°C
　　数据宽度：8位
　　时钟频率：1333MHz
　　封装尺寸：9mm x 13mm
　　制造工艺：约20nm

H5TC8G83DMR-PBA 芯片具备多项先进特性，以满足高性能计算和低功耗需求。
　　首先，该芯片采用DDR4 SDRAM技术，相较于前代DDR3具有更高的数据传输速率、更低的工作电压和更宽的数据带宽。其1.2V的工作电压显著降低了功耗，适用于对能耗敏感的设备。
　　其次，该DRAM芯片的数据速率为2666Mbps，支持高速数据访问，有助于提升系统整体性能，尤其是在多任务处理、图形渲染和大规模数据计算方面表现出色。
　　此外，H5TC8G83DMR-PBA 采用BGA封装技术，具有优良的电气性能和散热能力，适用于空间受限的高密度电路设计。其78引脚的封装设计不仅提高了信号完整性，还增强了封装的可靠性和耐用性。
　　该芯片还支持多种节能模式，如自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），以在闲置或低负载状态下进一步降低能耗，延长设备的使用寿命。
　　最后，H5TC8G83DMR-PBA 的工作温度范围为0°C至85°C，能够在较宽的温度范围内稳定运行，适用于工业级和商业级应用环境。

H5TC8G8G83DMR-PBA 主要应用于需要高性能内存的电子设备和系统中。首先，在个人计算机和笔记本电脑中，该芯片可用于提升系统运行速度，尤其是在运行大型软件、多任务处理或多线程应用时，其高速数据传输能力可显著改善用户体验。
　　其次，该芯片广泛用于服务器和数据中心，作为主内存组件，其高带宽和低功耗特性有助于提升服务器的处理能力并降低运营成本。对于云计算、虚拟化和大数据处理等场景，H5TC8G83DMR-PBA 提供了可靠的内存支持。
　　此外，该DRAM芯片也适用于高端工作站和嵌入式系统，特别是在图形处理、视频编辑、人工智能训练和科学计算等领域，其高速数据访问能力可显著提升计算效率。
　　该芯片还可用于工业控制设备、网络交换机、路由器和边缘计算设备中，提供稳定、高效的内存支持，确保系统在复杂环境下可靠运行。

H5TC8G83EFR-PBA, H5TC8G83EMR-PBA, H5TC8G63AMR-PBA, H5TC8G63AMR-PBC, MT48LC16M16A2B4-6A