H5TC8G83BMR-PBA 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于高带宽存储器类别,广泛用于需要高性能内存支持的应用场景,例如图形处理、服务器、网络设备以及嵌入式系统等。H5TC8G83BMR-PBA 采用BGA封装形式,具备较高的集成度和稳定的电气性能。
容量:8Gb
类型:DRAM
封装类型:BGA
电压:1.8V / 2.5V
接口:并行接口
访问时间:最大访问时间为5.4ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
H5TC8G83BMR-PBA 是一款高性能DRAM芯片,其主要特性包括大容量、高速访问时间和低功耗设计。该芯片的存储容量为8Gb,支持高速数据访问,最大访问时间仅为5.4ns,适用于需要快速数据处理的场合。芯片采用1.8V / 2.5V双电压供电方式,能够在保证性能的同时降低功耗,提升系统能效。
该芯片采用BGA封装,具有良好的散热性能和电气稳定性,适用于复杂环境下的工业级应用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在极端温度条件下仍能稳定运行。H5TC8G83BMR-PBA 采用并行接口设计,能够与多种主控芯片兼容,简化系统设计并提升数据传输效率。
此外,H5TC8G83BMR-PBA 还具备良好的可靠性和兼容性,适用于多种高性能嵌入式系统。其设计符合JEDEC标准,确保了与其他DRAM设备的兼容性,并支持自动刷新和自刷新功能,减少数据丢失风险,提升系统稳定性。
H5TC8G83BMR-PBA 广泛应用于高性能嵌入式系统、图形处理器(GPU)、服务器内存模块、网络交换设备、工业控制设备以及通信设备等。由于其高速访问时间和大容量特性,该芯片特别适合用于需要快速数据处理和大内存支持的应用场景,如视频渲染、图像处理、实时数据分析等。
H5TC8G83AFR-PBA, H5TC8G83AMR-PBA, H5TC8G83BFR-PBA