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H5TC8G63AMR-RDC 发布时间 时间:2025/12/28 17:12:00 查看 阅读:15

H5TC8G63AMR-RDC是一款由SK Hynix公司生产的DRAM芯片。该芯片属于高密度存储器件,广泛用于需要大容量内存的应用场景。H5TC8G63AMR-RDC采用先进的DRAM制造工艺,具有高速数据存取能力和低功耗特性,适合在多种电子设备中使用。

参数

容量:8Gbit
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  数据速率:1600Mbps
  工作电压:1.35V
  数据宽度:X8
  时钟频率:800MHz
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

H5TC8G63AMR-RDC是一款高性能DRAM芯片,具备高速数据传输能力,支持高达1600Mbps的数据速率,确保了系统在高负载下的稳定运行。该芯片采用低电压设计(1.35V),有效降低了功耗,使其适用于对能效有较高要求的设备。此外,该DRAM芯片支持X8数据宽度,提供了良好的数据吞吐能力。
  该芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有优异的散热性能和较高的封装密度,适用于紧凑型电路板设计。其宽广的工作温度范围(-40°C至85°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,增强了设备的可靠性和适应性。
  H5TC8G63AMR-RDC的内部架构设计优化了数据访问延迟,提升了整体系统性能。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不同工作状态下维持数据完整性,同时降低功耗。其兼容JEDEC标准,确保了与其他系统的兼容性和互操作性。

应用

H5TC8G63AMR-RDC广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品以及车载电子系统中。在需要高性能和大容量内存支持的场景中,例如路由器、交换机、智能电视、机顶盒、安防监控设备和工业计算机,该芯片都能够提供稳定的存储支持。

替代型号

H5TC8G63AFR-RDC,H5TC8G63AMR-PBC,H5TC8G63AMR-RBI,H5TC8G63AMR-RD

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