H5TC8G43AMR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,广泛用于移动设备、嵌入式系统和高性能计算设备中,以提供高速数据存储和访问能力。H5TC8G43AMR 的容量为8Gb,采用紧凑的封装设计,适合对空间和功耗要求较高的应用场景。
容量:8Gb
类型:LPDDR4 SDRAM
电压:1.1V
数据速率:3200Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:134
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
时钟频率:1600MHz
数据宽度:16位
封装尺寸:9.3mm x 11.5mm
H5TC8G43AMR 芯片具有多项先进特性,使其在现代电子设备中表现出色。首先,其低功耗设计(1.1V 工作电压)显著降低了能耗,非常适合移动设备和电池供电系统。其次,该芯片支持高达3200Mbps的数据速率,配合1600MHz的时钟频率,确保了高速数据传输和处理能力。此外,H5TC8G43AMR 采用16位数据宽度,能够在每个时钟周期内传输更多数据,提高整体系统性能。
该芯片的封装采用134引脚的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)设计,不仅提高了封装密度,还增强了散热性能,适用于高密度PCB布局。H5TC8G43AMR 还支持多种低功耗模式,包括自刷新(Self-Refresh)和深度掉电模式(Deep Power-Down),进一步延长设备的电池续航时间。此外,它具备较宽的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适合在各种环境条件下稳定运行。
H5TC8G43AMR 主要应用于对性能和功耗都有较高要求的电子设备中。常见的应用领域包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备以及高性能计算模块。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,该芯片也广泛用于图形处理器(GPU)、数字信号处理器(DSP)以及需要大量数据缓存的物联网(IoT)设备中。此外,在汽车电子系统中,例如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),H5TC8G43AMR 也能够提供可靠的内存支持。
H5TC8G43AMR 的替代型号包括 H5TC8G43AFR、H5TC8G43AMR-PBC 和 H5TC8G43AMR-JBL。这些型号在电气特性和封装形式上基本一致,可以根据具体需求选择合适的替代型号。