H5TC4G83EFR-PBA 时间：2025/9/2 10:56:34 阅读：25

H5TC4G83EFR-PBA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器件。这款DRAM芯片的容量为4Gb（Gigabits），采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，适用于需要高速数据处理的电子设备，如PC、服务器、网络设备等。该芯片的工作温度范围广泛，符合工业级标准，能够在-40°C至+85°C之间稳定运行。

参数

容量：4Gb
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：54
　　工作电压：1.35V / 1.5V
　　时钟频率：最高可达800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储架构：x8/x16
　　CAS延迟：CL=10/11/12

特性

H5TC4G83EFR-PBA 是一款高性能DRAM芯片，采用了先进的工艺技术，具有较低的功耗和较高的数据传输速率。其1600Mbps的数据速率使其适用于需要高速内存处理的应用场景。该芯片支持多种延迟设置（CL=10/11/12），可以根据系统需求进行灵活配置，提高系统的稳定性与兼容性。此外，该芯片采用1.35V或1.5V的工作电压，具有节能特性，能够在保证性能的同时降低功耗。
　　H5TC4G83EFR-PBA 还具备高可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适合工业级和企业级应用。其FBGA封装形式有助于提高封装密度，减小芯片体积，并提供良好的散热性能。该芯片还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，确保数据在断电或低功耗模式下仍然能够保持。

应用

H5TC4G83EFR-PBA 广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络设备、图形工作站、嵌入式系统以及工业控制设备中。由于其高数据传输速率和低功耗特性，这款DRAM芯片也非常适合用于高端PC、笔记本电脑以及支持DDR3内存标准的主板。此外，在需要大量数据缓存和快速访问的通信设备和存储设备中，该芯片也能发挥出色的性能。