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H5TC4G83EFR-PBA 发布时间 时间:2025/9/2 10:56:34 查看 阅读:9

H5TC4G83EFR-PBA 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。这款DRAM芯片的容量为4Gb(Gigabits),采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,适用于需要高速数据处理的电子设备,如PC、服务器、网络设备等。该芯片的工作温度范围广泛,符合工业级标准,能够在-40°C至+85°C之间稳定运行。

参数

容量:4Gb
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  引脚数:54
  工作电压:1.35V / 1.5V
  时钟频率:最高可达800MHz
  数据速率:1600Mbps
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  存储架构:x8/x16
  CAS延迟:CL=10/11/12

特性

H5TC4G83EFR-PBA 是一款高性能DRAM芯片,采用了先进的工艺技术,具有较低的功耗和较高的数据传输速率。其1600Mbps的数据速率使其适用于需要高速内存处理的应用场景。该芯片支持多种延迟设置(CL=10/11/12),可以根据系统需求进行灵活配置,提高系统的稳定性与兼容性。此外,该芯片采用1.35V或1.5V的工作电压,具有节能特性,能够在保证性能的同时降低功耗。
  H5TC4G83EFR-PBA 还具备高可靠性,能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适合工业级和企业级应用。其FBGA封装形式有助于提高封装密度,减小芯片体积,并提供良好的散热性能。该芯片还支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,确保数据在断电或低功耗模式下仍然能够保持。

应用

H5TC4G83EFR-PBA 广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络设备、图形工作站、嵌入式系统以及工业控制设备中。由于其高数据传输速率和低功耗特性,这款DRAM芯片也非常适合用于高端PC、笔记本电脑以及支持DDR3内存标准的主板。此外,在需要大量数据缓存和快速访问的通信设备和存储设备中,该芯片也能发挥出色的性能。

替代型号

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