时间：2025/9/2 7:26:03
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H5TC4G83CFR-RDA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器系列。该芯片的容量为4Gb，采用x8配置，即每个芯片有8个数据位。它专为高性能计算、网络设备、图形处理和其他需要大容量内存的应用设计。该型号采用BGA（球栅阵列）封装技术，确保良好的电气性能和机械稳定性，适用于各种高端电子设备。
容量：4Gb
组织结构：x8
电压：1.35V（低电压DDR3L）
频率：最高可达800MHz
数据速率：1600Mbps
封装类型：BGA
引脚数：78
工作温度：-40°C至+85°C
H5TC4G83CFR-RDA 的主要特性包括高性能和低功耗设计，使其适用于各种高性能计算和存储应用。该芯片支持多种操作模式，包括自刷新、温度补偿自刷新和深度掉电模式，以提高能效并延长数据保持时间。此外，它具有良好的兼容性，可与其他DDR3 SDRAM芯片互操作，并支持多种内存控制器配置。其BGA封装形式不仅提供了出色的散热性能，还减少了信号干扰，从而提高了整体系统的稳定性和可靠性。这款DRAM芯片还支持多种纠错机制，如自动预充电和突发中断功能，有助于提高系统的容错能力。
在电气性能方面，H5TC4G83CFR-RDA 采用了先进的制造工艺，确保在高频率下仍能保持稳定的运行。其1.35V的低电压设计不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，使得设备在长时间运行时更加稳定。此外，该芯片支持多种数据传输模式，包括突发模式和顺序传输模式，满足不同应用场景下的性能需求。其内部时钟同步机制确保了数据传输的精确性和稳定性，适用于对时序要求严格的系统设计。
H5TC4G83CFR-RDA 主要应用于高性能计算平台、服务器、网络设备（如路由器和交换机）、图形处理单元（GPU）、工业控制系统、嵌入式系统以及消费类电子产品（如高端智能手机和平板电脑）。由于其高容量和低功耗特性，它也非常适合用于需要大量内存的移动设备和便携式电子产品。此外，该芯片还可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），以提供高效的数据处理和存储能力。
H5TC4G63CFR-RDA, H5TC4G63CFR-H9A, H5TC4G63CFR-PBA
