类型：DRAM
　　容量：4Gbit（512MB）
　　组织结构：x8/x16
　　电压：1.35V / 1.5V
　　接口：DDR3 SDRAM
　　封装：FBGA
　　时钟频率：最高可达800MHz（等效1600Mbps数据速率）
　　工作温度范围：0°C至+85°C

H5TC4G83AFR-H9R 具备多项先进特性，包括高容量、低功耗和高速数据传输能力。该芯片采用DDR3 SDRAM技术，提供高达1600Mbps的数据传输速率，能够满足高性能计算和数据密集型应用的需求。此外，该DRAM芯片支持自动刷新和自刷新功能，以确保数据的完整性并降低功耗。其低电压设计（1.35V/1.5V）有助于减少系统功耗，提高能效，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。FBGA封装形式提供了良好的散热性能和电气性能，确保在高负载和高温度环境下依然稳定运行。该芯片还支持多种模式的突发长度和延迟设置，以适应不同的系统需求和优化内存访问效率。
　　在可靠性方面，H5TC4G83AFR-H9R采用了先进的制造工艺和设计技术，确保其在各种工作条件下都能保持稳定性能。其支持的温度范围为0°C至+85°C，适用于大多数工业和消费类应用场景。此外，该芯片具有良好的兼容性，能够与多种主控芯片和系统平台配合使用，提供灵活的系统设计方案。

H5TC4G83AFR-H9R 主要应用于需要高性能内存支持的电子设备，如个人电脑、笔记本电脑、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络交换设备、图形处理单元（GPU）以及其他需要高速数据处理和大容量内存的设备。由于其低功耗特性，该芯片也广泛用于便携式电子产品，如平板电脑、智能电视和高端智能手机等。此外，在需要稳定可靠内存解决方案的工业自动化和通信设备中，H5TC4G83AFR-H9R同样表现出色。

H5TC4G63AFR-H9C, H5TC4G63AFR-H92B, H5TC4G83CFR-H9C