时间：2025/9/2 2:18:02
阅读：6
H5TC4G63EFR-RDI 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器类别。这款芯片专为高性能计算、图形处理、网络设备和其他需要高速数据访问的应用而设计。H5TC4G63EFR-RDI 采用先进的制造工艺，具有高容量、低延迟和低功耗的特点，是现代高性能电子设备的理想选择。
容量：4Gb
组织结构：x64
电压：1.2V
封装类型：FBGA
数据速率：1600Mbps
工作温度：-40°C 至 +85°C
H5TC4G63EFR-RDI 的主要特性包括其高容量和高速性能，适用于高端计算和图形处理任务。这款DRAM芯片采用低电压设计，有助于降低功耗并提高能效，非常适合用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外，其1600Mbps的数据速率能够提供更高的带宽，满足需要快速数据处理的应用需求。该芯片还具有出色的可靠性和稳定性，在各种复杂的工作环境中都能保持良好的性能表现。H5TC4G63EFR-RDI 的FBGA封装设计有助于节省PCB空间，并提供良好的散热性能，使其适用于紧凑型设备的设计。另外，其宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其能够适应多种工业和商业应用场景。
H5TC4G63EFR-RDI 广泛应用于高性能计算系统、图形加速卡、服务器、网络交换设备、高端嵌入式系统以及其他需要高带宽内存支持的电子设备中。由于其高速性能和低功耗特性，这款芯片也非常适合用于移动设备、游戏机、工业控制系统和通信基础设施等领域。
H5TC4G63EFR-PBA, H5TC4G63EMR-RDI
