时间：2025/9/2 11:22:44
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H5TC4G63EFR-PBA 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分，广泛用于高性能计算、图形处理以及需要大容量高速内存的应用场景。这款芯片具有4GB的存储容量，采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适用于需要高速数据传输的设备。
容量：4GB
类型：DRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.2V
数据传输速率：最高可达3200Mbps
时钟频率：1600MHz
位宽：64位
工作温度范围：0°C至85°C
封装尺寸：14mm x 16mm
H5TC4G63EFR-PBA 芯片采用了先进的DRAM技术，具备高速数据传输能力，支持高带宽应用需求。其低电压设计（1.2V）有助于降低功耗，提高能效，适用于对功耗敏感的设备。FBGA封装形式提供了良好的电气性能和热管理能力，确保芯片在高负载下的稳定运行。
此外，该芯片支持多种刷新模式和低功耗模式，包括自刷新和深度掉电模式，以适应不同应用场景下的功耗优化需求。其64位的数据位宽设计可提供更高的数据吞吐能力，适合图形处理、服务器内存扩展以及高性能计算设备。芯片还具备较高的可靠性和稳定性，在高温环境下也能保持良好的性能。
H5TC4G63EFR-PBA 被广泛应用于高性能计算（HPC）、图形显卡、服务器内存模块、高端嵌入式系统以及需要大容量高速内存的消费类电子产品。由于其高带宽和低功耗特性，它也适用于AI加速器、数据中心存储扩展以及下一代游戏主机等对内存性能要求极高的设备。此外，该芯片还可用于工业自动化、通信设备和网络交换设备，以提升整体系统性能。
H5TC4G63EMR-PBA, H5TC4G63EJR-PBA, H5TC4G63EKR-PBA
