H5TC4G63CFR 时间：2025/9/2 3:29:00 阅读：5

H5TC4G63CFR是SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动式低功耗DDR3（LPDDR3）系列。这款芯片主要面向移动设备和嵌入式系统，具备低功耗、高性能和紧凑封装的特点。H5TC4G63CFR的容量为4GB，适用于智能手机、平板电脑、便携式电子设备等对功耗和空间要求较高的应用场景。

参数

容量：4GB
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　电压：1.8V/1.5V（核心电压）
　　数据速率：1600Mbps
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：168
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据总线宽度：32位
　　刷新周期：64ms
　　时钟频率：800MHz

特性

H5TC4G63CFR芯片具有多项优良特性，包括低功耗设计、高存储密度和高可靠性。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备，如智能手机和平板电脑。芯片支持多种低功耗模式，如自刷新模式（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down），以进一步降低能耗。此外，H5TC4G63CFR采用先进的DRAM技术，确保了数据的稳定性和可靠性。其高容量（4GB）和高速传输速率（1600Mbps）能够满足现代移动设备对内存性能的高要求。FBGA封装形式提供了良好的散热性能和空间节省，适用于紧凑型设备的设计。
　　该芯片还具备优异的电气特性和稳定性，支持在广泛的温度范围内正常工作（-40°C至+85°C），适合各种复杂的工作环境。同时，H5TC4G63CFR的标准化接口设计使其能够与多种主控芯片兼容，简化了系统设计和集成过程。

应用

H5TC4G63CFR广泛应用于移动通信设备和嵌入式系统中，包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏机和工业控制设备等。由于其低功耗和高性能的特性，该芯片特别适合用于需要长时间运行且依赖电池供电的设备。此外，H5TC4G63CFR也可用于嵌入式计算平台、车载信息娱乐系统（IVI）、智能电视和网络设备中，作为主存储器或缓存存储器使用。在工业自动化和物联网（IoT）应用中，H5TC4G63CFR同样可以提供稳定的内存支持，满足系统对高性能和低功耗的双重需求。