类型：DRAM
　　容量：4Gbit
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.35V
　　接口类型：DDR3
　　封装形式：FBGA
　　封装尺寸：96-ball FBGA
　　最大频率：800MHz
　　工作温度：-40°C至85°C

H5TC4G63CFR-PBAR 的主要特性包括其高存储容量和低功耗设计，适用于便携式设备和高功耗敏感的应用场景。该芯片支持DDR3接口，具有较高的数据传输速率和较低的延迟。其采用的先进DRAM技术使得芯片在高密度存储的同时仍能保持良好的稳定性和可靠性。此外，该芯片的工作温度范围较广，可在-40°C至85°C之间正常工作，适用于各种严苛的工业环境。
　　H5TC4G63CFR-PBAR 的封装形式为96-ball FBGA，体积小巧，便于在紧凑的PCB设计中使用。该芯片还支持多种电源管理功能，如自动刷新、自刷新和深度掉电模式，有助于进一步降低功耗并延长设备的电池寿命。同时，它还具有良好的兼容性，可以与多种主控芯片和处理器配合使用，提供高效的数据存储和处理能力。
　　在数据完整性方面，H5TC4G63CFR-PBAR 支持多种错误检测和纠正机制，确保数据在高频操作下的准确性和完整性。这使得该芯片在对数据可靠性要求较高的应用中（如通信设备和工业控制系统）表现出色。

H5TC4G63CFR-PBAR 被广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高速数据存储和处理能力的场景中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、网络路由器、数字电视、机顶盒以及各种嵌入式系统。此外，该芯片也适用于工业自动化设备、汽车电子系统和物联网（IoT）设备，为其提供高效、可靠的内存支持。

H5TC4G63CFR-RDAR, H5TC4G63CFR-PBA