时间：2025/9/1 12:43:08
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H5TC4G63AFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用高密度存储技术，提供4Gbit的存储容量，适用于需要高速数据访问的应用场景。该器件基于FBGA封装技术，具有高稳定性和可靠性，是消费电子和工业设备中常用的一种存储器解决方案。
容量：4Gbit
类型：DRAM
封装：FBGA
引脚数：54pin
工作电压：1.35V/1.5V
时钟频率：800MHz
数据速率：1600Mbps
数据宽度：x16
温度范围：0°C至85°C
H5TC4G63AFR-RDC 是一款高性能DRAM芯片，具备低功耗设计，适合便携式设备和对功耗敏感的应用。该芯片支持多种工作电压模式，包括标准1.5V和低电压1.35V模式，从而实现更高的能效。其800MHz的时钟频率和1600Mbps的数据速率确保了快速的数据存取能力，适用于需要高性能内存的设备。此外，该芯片的x16数据宽度设计使其能够满足对数据带宽有较高要求的应用场景。
这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，确保了稳定性和耐用性。其工作温度范围为0°C至85°C，适合在多种环境条件下使用，包括工业级应用场景。FBGA封装不仅提供了良好的散热性能，还减少了芯片的物理尺寸，使其适用于空间受限的设计。此外，该芯片符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保型电子产品。
H5TC4G63AFR-RDC 常用于高性能计算设备、网络设备、嵌入式系统以及消费类电子产品中。其高数据速率和低功耗特性使其成为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和固态硬盘等设备的理想选择。此外，该芯片也适用于路由器、交换机等网络设备，以支持高速数据传输和处理。在工业自动化和控制系统中，该芯片可用于数据缓存和临时存储，提高系统运行效率。
H5TC4G63AFR-PBA, H5TC4G63AFR-H9A, H5TC4G63AFR-627
