H5TC4G63AFR-RDAR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分。该芯片设计用于高性能计算、图形处理、服务器和网络设备等需要快速数据处理的场景。H5TC4G63AFR-RDAR采用先进的制造工艺,具备高密度存储能力与出色的性能表现,适合对数据吞吐量要求较高的系统。
容量:4GB
组织结构:x64
工作电压:1.2V
接口类型:FBGA
时钟频率:最大支持2400MHz
数据速率:2400Mbps
封装类型:FBGA-1378
温度范围:商业级(0°C 至 85°C)
JEDEC标准:符合JEDEC DDR4标准
H5TC4G63AFR-RDAR具备多项先进的技术特性,使其在高性能系统中表现出色。该芯片采用DDR4内存技术,提供更高的带宽和更低的功耗,适用于现代计算设备对能效的严苛要求。其2400Mbps的数据速率能够有效提升系统的数据处理能力,降低延迟,提高整体性能。
此外,H5TC4G63AFR-RDAR采用先进的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,提供更高的封装密度和更优的散热性能,确保在高负载环境下仍能保持稳定运行。其1.2V的工作电压相较于前代DDR3内存进一步降低了功耗,有助于提升设备的能效比。
H5TC4G63AFR-RDAR广泛应用于高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、数据中心服务器、高端网络设备、AI加速器和嵌入式系统等领域。在图形处理和游戏设备中,该芯片能够提供高速的数据访问能力,提升图形渲染效率和用户体验。在服务器和数据中心应用中,它能够支持大规模数据处理和存储,满足对高带宽和低延迟的需求。此外,H5TC4G63AFR-RDAR也适用于需要大量内存带宽的工业控制、通信设备和测试仪器。
H5TC4G63AFR-PBAA, H5TC4G63AFR-RDC, H5TC4G63AFR-RC