时间：2025/9/1 13:26:09
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H5TC4G63AFR-PBA 是由SK Hynix公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品线。这款DRAM芯片的容量为4Gbit，采用了FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，适用于需要大容量内存和高性能计算的电子设备。其主要特点包括高速数据访问、低功耗设计和高可靠性。
容量：4Gbit
封装类型：FBGA
引脚数：55nm
电压范围：1.35V - 1.5V
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据速率：1600Mbps
存储器类型：DRAM
数据宽度：x16
H5TC4G63AFR-PBA IC具有多项先进特性，包括高速数据传输能力，能够支持高达1600Mbps的数据速率，这使得它非常适合用于需要快速数据处理的应用场景。此外，该芯片采用了低功耗设计，能够在保证性能的同时降低能耗，延长设备的电池寿命。它还具备良好的热稳定性和电气稳定性，能够在广泛的温度和电压范围内正常工作，确保系统的稳定性和可靠性。
该芯片的x16数据宽度设计提高了数据吞吐量，适用于多任务处理和大数据量传输的场景。同时，其55nm工艺技术确保了芯片在高密度存储应用中的高效能表现。H5TC4G63AFR-PBA IC的FBGA封装形式提供了更小的体积和更好的散热性能，使得它非常适合用于空间受限的便携式设备。
H5TC4G63AFR-PBA广泛应用于各种高性能电子设备中，包括个人电脑、服务器、网络设备、工业控制系统以及嵌入式系统。由于其高速数据访问和低功耗特性，它也常用于移动设备，如智能手机和平板电脑。此外，该芯片还适用于需要大量数据缓存和快速响应时间的图形处理单元（GPU）和视频处理设备。
H5TC4G63AFR-PBA的替代型号包括H5TC4G63AFR-RCD和H5TC4G63AFR-H9A。这些型号在性能和封装上具有相似的特性，可以根据具体应用需求进行选择。
