时间：2025/9/2 1:18:46
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H5TC2G83GFR-RDI 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片设计用于高性能计算、图形处理、嵌入式系统以及消费类电子产品中的内存扩展需求。H5TC2G83GFR-RDI 是一款低功耗DDR3 SDRAM（双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器）器件，具有较大的存储容量和较高的数据传输速率，适合用于需要高速数据处理的应用场景。
容量：2 Gb（256MB x 8）
类型：DDR3 SDRAM
封装类型：FBGA
引脚数：54pin
工作电压：1.35V（低电压版，LVDDR3）
时钟频率：最高可达800MHz
数据速率：1600Mbps（DDR3-1600）
组织结构：x8
工作温度范围：-40°C 至 +85°C 或 0°C 至 +70°C
封装尺寸：具体尺寸取决于封装形式，通常为8mm x 13mm左右
刷新方式：自动刷新/自刷新
数据预取：8n预取
H5TC2G83GFR-RDI DDR3 SDRAM芯片具有多项先进特性，使其适用于高性能和低功耗应用场景。首先，该芯片采用低电压设计（1.35V），相比标准DDR3的1.5V，可显著降低功耗，提高能效，适用于移动设备和节能型电子产品。此外，H5TC2G83GFR-RDI 支持高达1600Mbps的数据传输速率，使得数据处理更加高效，适用于需要高速缓存的应用。该芯片采用x8数据宽度设计，适合多颗并行使用以扩展带宽。封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），提供良好的电气性能和散热能力，同时节省PCB空间。该芯片还支持自动刷新和自刷新功能，在保持数据完整性的同时进一步降低功耗。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种环境条件下的稳定运行，适用于工业级和消费级应用。此外，该芯片内置模式寄存器（Mode Register）和扩展模式寄存器（EMR），可灵活配置操作参数，如突发长度、CAS延迟、写入延迟等，从而优化系统性能。
H5TC2G83GFR-RDI 主要应用于需要高性能、低功耗存储的电子设备中。例如，它广泛用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等便携式电子产品，作为主内存或图形缓存使用。在嵌入式系统中，该芯片可用于工业控制、医疗设备、汽车电子等场景，为系统提供快速的数据处理能力。此外，该芯片也适用于网络设备、路由器、智能电视、机顶盒等消费类电子产品，作为高速缓存或辅助存储器使用。由于其低功耗特性和宽温工作范围，H5TC2G83GFR-RDI 还可用于户外设备和工业自动化设备，满足各种苛刻环境下的运行需求。
H5TC2G83CFR-H9C, H5TC2G83EFR-PBC, H5TC2G83BFR-PBA, MT48LC16M16A2B4-6A
