H5TC2G83CFR-PBA 时间：2025/9/2 10:22:16 阅读：8

H5TC2G83CFR-PBA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度、高性能存储器产品线的一部分。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，旨在为各种高性能计算和嵌入式应用提供可靠且高效的内存解决方案。H5TC2G83CFR-PBA 是一个83MHz的DRAM芯片，通常用于需要较高数据传输速率和较大内存容量的应用中。这款芯片的设计使其能够适用于工业控制、网络设备、通信设备以及消费类电子产品。

参数

容量：256MB
　　电压：2.3V - 3.6V
　　接口类型：并行接口
　　时钟频率：83MHz
　　封装类型：TSOP
　　数据宽度：16位
　　工作温度范围：-40°C至85°C

特性

H5TC2G83CFR-PBA具备一系列高性能特性，首先是其256MB的存储容量，满足了对较大内存需求的应用场景。它的工作电压范围较宽，为2.3V至3.6V，这使得它能够在不同的电源条件下稳定运行，增加了其适用性。该芯片采用并行接口设计，支持高速数据传输，适用于需要快速存取数据的应用。时钟频率高达83MHz，确保了其在高速运算环境中的稳定性与性能。
　　H5TC2G83CFR-PBA的封装类型为TSOP（薄型小外形封装），这种封装形式具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合嵌入式系统和空间受限的应用场景。此外，其工作温度范围宽广，从-40°C到85°C，能够在恶劣环境下保持稳定运行，适用于工业级应用。这款DRAM芯片的16位数据宽度设计，使其在数据处理方面具备更高的效率，适用于需要大量数据吞吐的场合。

应用

H5TC2G83CFR-PBA广泛应用于多个领域，包括工业控制系统、网络设备（如路由器和交换机）、通信设备（如基站和终端设备）以及消费电子产品（如高端智能设备和多媒体播放器）。在工业控制领域，这款DRAM芯片为控制系统提供了高效、可靠的内存解决方案，确保了系统的稳定运行。在网络设备中，H5TC2G83CFR-PBA能够支持高速数据处理和传输，满足了网络设备对大容量内存的需求。在通信设备中，这款芯片为设备提供了强大的内存支持，保证了数据的高效处理和传输。在消费电子产品中，H5TC2G83CFR-PBA的高性能特性使其成为理想的选择，为设备提供了更流畅的用户体验。