H5TC2G63FFR-PBI是一款由SK Hynix生产的DDR3 SDRAM(双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片设计用于高性能计算、图形处理、嵌入式系统和消费类电子产品,提供较大的存储容量和较快的数据传输速度。H5TC2G63FFR-PBI的封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),适用于空间受限的电路设计。
容量:256MB(2Gb)
电压:1.5V(标准)
数据速率:800Mbps(PC3-800)
组织结构:x16位数据总线
封装类型:FBGA
工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
时钟频率:400MHz
访问时间:5.4ns
刷新周期:64ms
H5TC2G63FFR-PBI DDR3 SDRAM芯片具备多项高性能特性,适用于现代电子设备的需求。其256MB容量与x16位数据总线设计可提供较高的数据吞吐能力,适合用于图形显存、嵌入式系统内存以及高端消费电子产品中的主存扩展。该芯片的工作电压为标准1.5V,相比前一代DDR2 SDRAM降低了功耗,提升了能效比。
此外,H5TC2G63FFR-PBI支持800Mbps的数据速率(PC3-800),时钟频率达到400MHz,访问时间为5.4ns,能够满足高速数据处理的需求。其采用的FBGA封装形式不仅减小了封装尺寸,还提升了散热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局。
H5TC2G63FFR-PBI广泛应用于需要高性能存储的电子设备中,包括但不限于嵌入式系统、工控设备、图形处理单元(GPU)、智能电视、机顶盒、路由器、网络交换设备以及工业计算机。由于其低功耗特性和工业级温度范围,也适用于户外设备和车载电子系统。
H5PS1G63EFR-S2C H5PS1G63EFR-Y5C H5TC4G63AMR-PBC