时间：2025/9/2 7:37:57
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H5TC2G63FFR-H9A 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其移动型DRAM产品线。该芯片主要面向移动设备和嵌入式系统应用，具备高性能和低功耗的特点。H5TC2G63FFR-H9A 采用FBGA封装形式，适用于需要高效内存解决方案的设备，如智能手机、平板电脑以及便携式电子产品。
容量：2Gb
组织结构：x16
电压：1.8V/2.5V
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装类型：FBGA
封装尺寸：54-ball FBGA
时钟频率：最大166MHz
数据速率：333Mbps
访问时间：5.4ns
H5TC2G63FFR-H9A 是一款高性能的DRAM芯片，其容量为2Gb，适用于对存储性能要求较高的应用环境。该芯片的组织结构为x16，这意味着其每个存储单元可以同时传输16位数据，从而提升数据传输效率。
该DRAM芯片的工作电压为1.8V和2.5V双电源模式，支持多种电压应用场景，降低功耗并提高兼容性。此外，其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业级设备和户外电子产品。
采用FBGA封装技术，H5TC2G63FFR-H9A 在小型化设计的同时保证了良好的电气性能和散热能力，非常适合空间受限的便携式设备。其封装尺寸为54-ball FBGA，便于PCB布局和焊接。
在性能方面，该芯片支持最高166MHz的时钟频率，数据速率为333Mbps，访问时间为5.4ns，能够提供快速的数据存取能力，满足实时数据处理需求。这种性能水平使得H5TC2G63FFR-H9A 成为移动设备、嵌入式系统、消费类电子产品中的理想内存选择。
H5TC2G63FFR-H9A 主要应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的设备，包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等移动设备。由于其支持宽温度范围和低电压运行，因此也适用于工业控制设备、汽车电子系统和通信模块。此外，该DRAM芯片还广泛用于嵌入式系统、手持终端设备、智能家居控制中心等场景中，为这些设备提供稳定可靠的内存支持。
H5TC2G63FFR-PBA, H5PS1G63EFR-H9A, H5MS1G63EFR-H9A
