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H5TC2G63DFR 发布时间 时间:2025/9/1 17:45:13 查看 阅读:9

H5TC2G63DFR 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度内存产品系列。这款芯片广泛应用于需要高速数据存储和处理的电子设备中,如计算机、服务器、嵌入式系统、网络设备等。H5TC2G63DFR采用了先进的DRAM制造工艺,具备高性能和低功耗的特点,适用于需要高效数据处理能力的应用场景。

参数

容量:256MB(2Gbit)
  组织结构:x16
  电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  数据速率:10ns访问时间
  接口类型:异步DRAM

特性

H5TC2G63DFR 是一款异步DRAM芯片,具备256MB的存储容量(2Gbit),采用x16的数据组织结构,适用于需要较大存储空间和快速访问的应用。其工作电压范围为2.3V至3.6V,使其在多种电源环境下都能稳定运行。该芯片支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在极端温度条件下仍能保持可靠性能,适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品。
  此外,H5TC2G63DFR采用TSOP(薄型小外形封装)封装技术,具有较小的封装体积和良好的散热性能,便于在高密度电路板上进行布局和安装。其10ns的访问时间表明该芯片具备较快的数据读写速度,能够满足中高端嵌入式系统和网络设备对内存响应速度的要求。

应用

H5TC2G63DFR 主要应用于需要中等容量高速内存的电子设备中。典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)、工业控制系统、智能卡终端、POS机、安防监控设备以及嵌入式系统。由于其支持宽电压范围和工业级温度范围,该芯片也适用于户外设备和工业环境下的数据采集与处理系统。

替代型号

IS42S16256A-6T、CY62148EVLL、A640-12

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