类型：DRAM
　　系列：HBM2
　　容量：2GB
　　位宽：1024位
　　频率：2500Mbps
　　电压：1.2V
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：78 balls, 12mm x 12mm x 1.2mm
　　工作温度：-40°C至+85°C

H5TC2G43EFR-PBC芯片的主要特性之一是其高带宽性能，这得益于其1024位宽和2500Mbps的数据传输速率。这种带宽水平使其能够满足高性能计算和图形处理的严苛需求。
　　此外，H5TC2G43EFR-PBC采用堆叠式封装技术，允许在有限的PCB空间内实现更高的内存密度，这对于空间受限的高性能设备尤为重要。
　　该芯片还具备低功耗特性，工作电压为1.2V，有助于降低整体功耗并提高能效，这在高密度计算环境中尤为重要。
　　其2.5D封装设计不仅提高了内存带宽，还减少了信号延迟，提升了系统整体性能。这种设计还支持更高的内存容量，适用于需要大量数据处理的应用场景。
　　H5TC2G43EFR-PBC还具备较高的可靠性和稳定性，能够在极端温度条件下正常工作，适合工业级和高端消费类电子设备使用。

H5TC2G43EFR-PBC广泛应用于需要高带宽内存的设备，如高性能图形卡、AI加速器、超级计算机、数据中心服务器以及高端游戏主机。此外，它也适用于需要大量数据处理能力的网络设备和嵌入式系统。在人工智能和机器学习领域，这款芯片可以提供快速的数据访问能力，从而加速模型训练和推理过程。在图形处理方面，H5TC2G43EFR-PBC能够支持高分辨率和复杂的图形渲染，提供流畅的视觉体验。由于其低功耗和高可靠性，它也适合用于工业自动化和通信基础设施等应用场景。

H5TC2G63AMR-PBC, H5TC4G63AMR-PBC