时间：2025/9/2 14:01:43
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H5TC1G63EFR-PBAR 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，具体属于移动型LPDDR2 SDRAM类别。该芯片的容量为1Gb（128MB），采用FBGA封装形式，专为低功耗应用设计，适用于移动设备、智能手持设备和嵌入式系统等领域。
容量：1Gb
组织架构：x16
类型：LPDDR2 SDRAM
工作电压：1.2V/1.8V（双电压供电）
封装形式：FBGA
封装尺寸：108-ball FBGA
最大工作频率：1066MHz
数据速率：1066Mbps
工作温度范围：-40°C至85°C
H5TC1G63EFR-PBAR 具备出色的低功耗性能，适用于移动设备及嵌入式系统。其 LPDDR2 标准支持多种电源模式，包括自动刷新和自刷新模式，以优化功耗表现。该芯片采用双电压供电方式，核心电压为1.2V，I/O电压为1.8V，以在高性能和低功耗之间取得良好平衡。
此外，H5TC1G63EFR-PBAR 使用 x16 组织架构，提供 1066Mbps 的数据传输速率，满足中高端应用对内存带宽的需求。封装方面，108-ball FBGA 封装设计确保了其在高密度PCB布局中的适用性，并增强了热稳定性和电气性能。
该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 85°C，适用于各种复杂环境条件下的稳定运行。它还支持多种操作模式，包括突发读写模式、自动预充电和低功耗待机模式，以提升系统效率。
H5TC1G63EFR-PBAR 广泛应用于需要低功耗和较高数据处理能力的设备中，如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、工业控制设备和嵌入式系统。由于其高性能与低功耗的特性，这款内存芯片也适用于需要长时间运行且对电池续航能力要求较高的移动设备。
此外，该芯片在汽车电子系统、智能穿戴设备以及物联网（IoT）设备中也有广泛应用。其支持的温度范围较宽，使其能够在工业环境和恶劣条件下稳定工作。
H5TC1G63EFR-RDAR, H5TC1G63EMR-PBA, MT48LC16M16A2B4-106A, K4P51324QE-FGC12
