时间：2025/9/1 15:29:27
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H5TC1G63EFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于移动DRAM类别，专为低功耗应用而设计，适用于移动设备如智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品。H5TC1G63EFR-H9C 的容量为1Gb（Gigabit），采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较高的集成度和较低的能耗。该芯片支持移动LPDDR2 SDRAM标准，适用于需要高性能和低功耗的系统设计。
容量：1Gb
类型：DRAM
封装类型：FBGA
接口标准：LPDDR2
电压：1.2V - 1.5V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：108-ball FBGA
数据速率：800Mbps / 1066Mbps
H5TC1G63EFR-H9C 采用先进的DRAM技术，具备出色的低功耗特性，非常适合移动设备和电池供电应用。该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新模式，以降低功耗并延长电池寿命。其FBGA封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，使其能够在各种工作环境中可靠运行。此外，该芯片支持双数据速率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而提高了数据传输效率。
该芯片的接口符合JEDEC标准，便于在不同平台上的集成和兼容性设计。H5TC1G63EFR-H9C 还支持多种突发长度和突发类型，允许灵活的内存访问方式，适应不同的系统需求。由于其高性能和低功耗的特点，这款DRAM芯片广泛应用于现代移动计算设备中。
H5TC1G63EFR-H9C 常用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统以及其他低功耗嵌入式系统中。由于其高带宽和低功耗的特性，它也适用于需要高效能内存支持的多媒体处理和图形渲染应用。此外，该芯片还可用于工业控制设备、智能穿戴设备以及物联网（IoT）设备中，为这些设备提供快速、可靠的内存访问能力。
H5TC4G63AMR-PBA, H5TC1G63CFR-H9A, H5TC1G63CMR-H9A
