时间：2025/9/2 9:19:50
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H5PS5182KFR-S6C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具备高速数据访问能力和较低的功耗，适用于需要高带宽和低延迟内存解决方案的应用场景。该芯片的封装类型为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），便于高密度电路板设计。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：x18
工作电压：1.35V（低电压版本）
数据速率：800Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：54pin
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行接口
时钟频率：400MHz
H5PS5182KFR-S6C DRAM芯片具有多项先进的性能特性。首先，其1Gb的容量适用于需要中等存储密度的应用，同时支持x18的数据宽度，能够提供较高的数据吞吐量。该芯片的工作电压为1.35V，属于低电压（Low Voltage，LV）类别，能够在保持高性能的同时降低功耗，适用于对能效要求较高的系统设计。
该芯片支持800Mbps的数据速率和400MHz的时钟频率，能够满足高速数据处理的需求，适用于需要快速数据访问的应用，如网络设备、图形处理器和嵌入式系统。封装采用54引脚的FBGA形式，不仅节省空间，还提高了封装密度和电气性能，适合在高密度PCB布局中使用。
此外，H5PS5182KFR-S6C支持宽温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级环境，确保在恶劣工作条件下依然能够稳定运行。其并行接口设计也提高了数据传输效率，适用于高性能嵌入式系统和通信设备。
H5PS5182KFR-S6C DRAM芯片广泛应用于多个高性能计算和嵌入式系统领域。由于其高速访问能力和低功耗设计，它常用于图形处理器（GPU）、网络交换设备、路由器、嵌入式控制系统和工业计算机。此外，该芯片也适用于视频处理设备、高端打印机和工业自动化控制系统，能够在复杂环境下保持稳定的内存性能。
该芯片的高可靠性和宽温度范围使其特别适合工业级和汽车电子应用，例如车载信息娱乐系统、工业控制面板和智能监控设备。同时，由于其高速接口设计，H5PS5182KFR-S6C也可用于需要快速数据处理的物联网（IoT）设备和边缘计算平台。
H5PS5162FFR-S6C, H5PS5162KBC-S6C, MT48LC16M1A2B4-6A, K4B1G1646Q-HBC
