H5PS5162GFR-Y5 时间：2025/9/1 22:53:15 阅读：11

H5PS5162GFR-Y5 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR5（低功耗双倍数据速率第五代）内存规格。该芯片主要面向高端移动设备、嵌入式系统和需要高带宽、低功耗内存解决方案的应用场景。其容量为2GB，采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适用于对空间和能效要求较高的设备。

参数

容量：2GB
　　电压：1.5V（VDD）/1.5V（VDDQ）/0.5V（VDD2）
　　数据速率：5500Mbps
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：168
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　内存类型：LPDDR5 SDRAM

特性

H5PS5162GFR-Y5 具备多项先进特性，以满足现代移动设备和高性能嵌入式系统的严苛需求。
　　首先，该芯片采用了LPDDR5技术，相较于前代LPDDR4X，其数据传输速率显著提升，最高可达5500Mbps，从而提供更高的内存带宽，有助于提升系统的整体性能，特别是在图形处理、多任务处理以及AI计算等方面。
　　其次，H5PS5162GFR-Y5 具备出色的能效表现。它通过多种低功耗设计技术，如动态电压频率调节（DVFS）、深度电源关闭模式（DPD）和部分阵列自刷新（PASR）等，大幅降低了运行时的能耗，从而延长移动设备的电池续航时间。
　　此外，该芯片支持多种数据总线宽度模式，包括x16和x8模式，提供更高的灵活性，以适应不同的系统设计需求。其168引脚的FBGA封装形式也使得芯片在紧凑的PCB布局中能够实现高密度的内存配置。
　　在可靠性和稳定性方面，H5PS5162GFR-Y5 的工作温度范围为-40°C至+85°C，可在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　最后，该内存芯片还集成了命令/地址（CA）奇偶校验功能、写入校验（Write CRC）和读取校验（Read DQ/DQS ECC）等数据完整性保护机制，有效提升了内存系统的稳定性和容错能力。

应用

H5PS5162GFR-Y5 主要应用于需要高性能、低功耗内存的高端移动设备，如旗舰智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外，该芯片也广泛用于嵌入式系统、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统（IVI）和工业控制设备等领域。其高速数据传输能力和低功耗设计使其特别适合需要持续高负载运行的AI加速器、图像识别模块和边缘计算设备。