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H5PS2G63EMR-Y5C 发布时间 时间:2025/9/2 15:17:04 查看 阅读:8

H5PS2G63EMR-Y5C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,适用于需要大容量内存和高速数据访问的电子设备。这款DRAM芯片的容量为2Gbit(256MB),采用x32位宽,支持低功耗运行,适用于移动设备、嵌入式系统和便携式电子产品。

参数

容量:2Gbit
  位宽:x32
  封装类型:FBGA
  电压:1.8V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据速率:高达200MHz
  接口类型:并行接口
  刷新周期:64ms

特性

H5PS2G63EMR-Y5C具备多项先进的技术特性,确保其在高性能和低功耗场景中的稳定运行。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时有效降低功耗,非常适合电池供电设备。其支持的1.8V电源电压使得在移动设备中的应用更为广泛。此外,该芯片具备自动刷新和自刷新功能,能够在不同环境条件下保持数据的完整性。
  在性能方面,H5PS2G63EMR-Y5C支持高达200MHz的数据速率,确保了快速的数据存取能力。其并行接口设计也提供了更高的带宽利用率,适用于高吞吐量的应用场景。该芯片还具备可配置的突发长度和访问模式,以满足不同系统设计的需求。
  封装方面,H5PS2G63EMR-Y5C采用FBGA封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于高密度PCB布局设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在各种恶劣环境下稳定运行。

应用

H5PS2G63EMR-Y5C广泛应用于需要高性能和低功耗的电子设备中。其主要应用领域包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备以及便携式消费电子产品。在移动设备中,该芯片能够提供足够的内存容量和高速数据访问能力,以支持多任务处理和复杂应用程序的运行。此外,它也被用于需要大容量缓存和高速数据处理的网络设备和存储设备中。
  在工业控制和自动化系统中,H5PS2G63EMR-Y5C能够提供可靠的内存支持,适用于数据采集、实时控制和图像处理等应用。其高稳定性和宽温工作范围使其在工业环境中表现出色。此外,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统,以满足其对高性能存储器的需求。

替代型号

H5PS2G63EFR-Y5C, H5PS2G63EMR-Y5D

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