容量：2 Gb
　　架构：x16
　　工作电压：1.2V - 1.7V
　　时钟频率：最高可达266MHz
　　数据速率：533Mbps
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：108-ball
　　温度范围：-40°C 至 +85°C

H5PS2G43AFR 移动DRAM芯片具备多项先进的性能和设计特性。首先，其采用低功耗设计，支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）、部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），从而有效降低设备在待机或低负载状态下的功耗，延长电池续航时间。
　　其次，该芯片支持高数据速率，可达533Mbps，使其适用于高性能计算和图形处理需求较高的移动设备。同时，其266MHz的时钟频率确保了快速的数据存取速度，提升了系统整体的响应能力。
　　此外，H5PS2G43AFR 采用108-ball FBGA封装，具有优异的散热性能和空间利用率，非常适合高密度电路板设计，并确保在高温环境下的稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的应用。
　　该芯片还支持移动设备所需的快速唤醒功能，使其能够在低功耗状态与活跃状态之间快速切换，提高设备的响应效率并优化能耗。这些特性共同使H5PS2G43AFR成为一款适用于高性能移动平台的理想存储解决方案。

H5PS2G43AFR 主要应用于需要高性能和低功耗内存的移动设备，如高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式游戏设备和移动计算平台。此外，该芯片也可用于工业控制设备、便携式医疗设备和车载信息娱乐系统等需要稳定内存性能的场景。由于其宽温工作范围和高可靠性，它也适用于在恶劣环境下运行的工业和车载应用。

H5PS2G43AFR的替代型号包括H5PS1G83EFR、H5PS2G83EFR 和 H5PS1G43AFR，这些型号在容量、封装形式或性能参数上略有差异，可根据具体应用需求进行选择。